與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點,。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。在放大電路中，場效應(yīng)管可以起到線性放大的作用,，輸出的信號與輸入信號成正比,。深圳功耗低場效應(yīng)管市價

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET,。溝道的選擇。為設(shè)計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中,，當(dāng)一個MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān),。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時,，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮,。深圳功耗低場效應(yīng)管市價場效應(yīng)管具有較高的耐熱性能，適用于高溫環(huán)境,。

C-MOS場效應(yīng)管（增強型MOS場效應(yīng)管）,，電路將一個增強型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時,，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時,，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源地接通。在該電路中,，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出,。同時由于漏電流的影響,，使得柵壓在還沒有到0V,，通常在柵極電壓小于1到2V時,，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因為如此,，使得該電路不會因為兩管同時導(dǎo)通而造成電源短路。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一,、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。MOSFET適用于各種電路中的信號放大，功率放大和開關(guān)控制等應(yīng)用,。

導(dǎo)通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui,、關(guān)斷時為DUi，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V,，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］,。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠,，具有電氣隔離作用,。當(dāng)脈寬變化時，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化,。②該電路只需一個電源,，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負(fù)壓,，從而加速了功率管的關(guān)斷,，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化,。當(dāng)D較小時,，負(fù)向電壓小，該電路的抗干擾性變差,，且正向電壓較高,，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當(dāng)D大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負(fù)向電壓,，此時應(yīng)該注意使其負(fù)電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓,。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,，可以用于高速通訊,、計算機處理和控制系統(tǒng)中。深圳功耗低場效應(yīng)管市價

JFET有三個電極：柵極,、漏極和源極,，工作原理類似MOSFET。深圳功耗低場效應(yīng)管市價

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。深圳功耗低場效應(yīng)管市價