對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場效應(yīng)管的源極s、柵極g,、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c,，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流,。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管的價(jià)格相對較低,，適合大規(guī)模生產(chǎn)。東莞半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造商

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件,，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。總結(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。南京場效應(yīng)管價(jià)位場效應(yīng)管也可以用作開關(guān)，可以控制電路的通斷,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。2、跨導(dǎo),，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。3,、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。4,、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。5、較大漏源電流,，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。

計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設(shè)計(jì)來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求,。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對較壞情況的計(jì)算結(jié)果,，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會失效,。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及較大的結(jié)溫,。開關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo),。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大,。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能,。不過，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高,，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。場效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定,，可靠性更高,。

電機(jī)驅(qū)動：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，場效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動,、停止和速度調(diào)節(jié),。LED驅(qū)動：場效應(yīng)管用于LED驅(qū)動電路中,，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度。場效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性,。通過選擇合適的場效應(yīng)管類型和設(shè)計(jì)合適的電路,，可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電子系統(tǒng),。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,，也稱雙極型晶體管、晶體三極管,，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān),。在放大電路中,，場效應(yīng)管可以起到線性放大的作用，輸出的信號與輸入信號成正比,。東莞半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造商

場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡單,，易于集成，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化,。東莞半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造商

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力,，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容,。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右,。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線,，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。東莞半導(dǎo)體場效應(yīng)管制造商