下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn),，然后對(duì)1,，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效,。2：SOA失效（電流失效）,，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過(guò)大,，損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效,。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效,。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5：靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效,。場(chǎng)效應(yīng)管的主要優(yōu)勢(shì)之一是控制融合度相對(duì)較高。佛山金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負(fù)極）時(shí),，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過(guò),。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),，從而形成導(dǎo)通電流,。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極,，N端接正極）時(shí),，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),，二極管截止,。在柵極沒(méi)有電壓時(shí)，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò),，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí),，由于電場(chǎng)的作用,，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來(lái)而涌向柵極,，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中,，從而形成電流,，使源極和漏極之間導(dǎo)通?？梢韵胂駷閮蓚€(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝,，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定,。佛山金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作。

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的,。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板,、NB,、計(jì)算機(jī)類(lèi)適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板,、計(jì)算機(jī)類(lèi)適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車(chē)電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類(lèi)電子了,。

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小,，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn),，如圖1(b)所示,。vGS增加時(shí),，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí),，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層,，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道,，其導(dǎo)電類(lèi)型與P襯底相反,，故又稱(chēng)為反型層，如圖1(c)所示,。vGS越大,，作用于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)就越強(qiáng)，吸引到P襯底表面的電子就越多,，導(dǎo)電溝道越厚,，溝道電阻越小。在放大電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以起到線性放大的作用,，輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)成正比。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制系統(tǒng)中,，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng),、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動(dòng)：場(chǎng)效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中,，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度,。場(chǎng)效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性。通過(guò)選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型和設(shè)計(jì)合適的電路,，可以實(shí)現(xiàn)高效,、可靠的電子系統(tǒng)。我們知道三極管全稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管,，也稱(chēng)雙極型晶體管,、晶體三極管，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制,，避免損壞器件,。惠州結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管加工

IGBT結(jié)合了場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn),，適用于高電壓和高頻率的場(chǎng)合,。佛山金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開(kāi)啟電壓Vgs（th），只不過(guò)這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異,，不知道的回去前面重新看,。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ,；Crss = Cgd,；注②：MOS管開(kāi)啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量,！注③：接通/斷開(kāi)延遲時(shí)間t d(on/off),、上升/下降時(shí)間tr / tf，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID,，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷,。佛山金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格