現(xiàn)在的高清,、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降,。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上,，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。場效應(yīng)管的主要作用是在電路中放大或開關(guān)信號,，用于控制電流或電壓,。惠州場效應(yīng)管參考價

場效應(yīng)晶體管,。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時,，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通，這個時候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因為 MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ,， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓,。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管,，因為某些型號封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡顟B(tài)：惠州場效應(yīng)管參考價在設(shè)計電路時,，應(yīng)根據(jù)實際需求選擇合適的場效應(yīng)管類型，以實現(xiàn)較佳的性能和效果,。

場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個導(dǎo)電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導(dǎo)電；當(dāng)VGS超過Vth時,，通道形成,，電流開始流動。

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,，場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。使用場效應(yīng)管時需要注意靜電放電問題,，避免對器件造成損壞,。

場效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時，MOS 不導(dǎo)通,?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時,，MOS 被擊穿,，I_DID 突然增大，如果沒有限流電阻,，將被燒壞,。過損耗區(qū)：功率較大，需要加強(qiáng)散熱,，注意較大功率,。場效應(yīng)管主要參數(shù)。場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm,、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。場效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視,。佛山N溝道場效應(yīng)管廠商

場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實現(xiàn)精確控制?；葜輬鲂?yīng)管參考價

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點,。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),?？偨Y(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,?；葜輬鲂?yīng)管參考價