場效應管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結隔離,；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應管處于關閉狀態(tài),，通道不導電；當VGS超過Vth時,，通道形成,，電流開始流動。MOSFET有三個電極：柵極,、漏極和源極。上海P溝道場效應管批發(fā)

功耗低場效應管完美順應了當今節(jié)能減排的時代趨勢,。通過對溝道結構進行優(yōu)化設計,，采用新型的低電阻材料，明顯降低了導通電阻,，從而大幅減少了電流通過時的能量損耗,。在可穿戴設備領域，電池續(xù)航一直是困擾用戶的難題,。以智能手環(huán)為例,，其內(nèi)部空間有限，電池容量不大,，但卻需要持續(xù)運行多種功能,，如心率監(jiān)測、運動追蹤、信息提醒等,。功耗低場效應管應用于智能手環(huán)的電源管理和信號處理電路后,，能夠大幅降低整體功耗。原本只能續(xù)航 1 - 2 天的智能手環(huán),，采用此類場效應管后,，續(xù)航可提升至 7 - 10 天，極大地提升了用戶使用的便利性,，讓用戶無需頻繁充電,，能夠持續(xù)享受智能手環(huán)帶來的便捷服務，有力地推動了可穿戴設備的普及與發(fā)展,，讓健康監(jiān)測與便捷生活時刻相伴,。珠海氧化物場效應管價位場效應管具有較長的使用壽命，可靠性高,，降低了設備的維護成本,。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導通阻抗,，對開關應用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經(jīng)開關的電流有關,，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù),。一直處于導通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加,。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結到管殼的熱阻抗,。

場效應管與雙極型晶體管比,，它的體積小，重量輕,，壽命長等優(yōu)點,，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低,、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導電）,、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點，幾乎場效應管占據(jù)的絕大部分市場,。有利就有弊,，而場效應管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結型場效應管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應管(FET)基礎知識：名稱，場效應晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應管,。結型場效應管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導體場效應管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導體器件,。與之對應的是由兩種載流子參與導電的雙極型晶體管，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導體器件,。場效應管是一種半導體器件，通過外部電場調(diào)節(jié)電導,。

在要求輸入阻抗較高的場合使用時,，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場效應管,，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應注意避光使用,。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用,，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣,，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術人員，特別是廣大的電子愛好者,，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),，采取切實可行的辦法,，安全有效地用好場效應管。在使用場效應管時,，需要注意避免靜電放電,，以免損壞器件。珠海氧化物場效應管價位

場效應管是一種半導體器件,，可以控制電流的流動,。上海P溝道場效應管批發(fā)

場效應管主要參數(shù)：1、開啟電壓,，開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓。2,、跨導,，跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數(shù),。3、漏源擊穿電壓,，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS,。4、較大耗散功率,，較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量,。5,、較大漏源電流，較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),，是指場效應管正常工作時,，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM,。上海P溝道場效應管批發(fā)