吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展

1. 正性光刻膠（如 YK-300）
   應(yīng)用場景：用于芯片的精細(xì)圖案化，如集成電路（IC）,、分立器件（二極管,、三極管）的制造。
   特點(diǎn)：高分辨率（可達(dá)亞微米級），適用于多層光刻工藝,，確保芯片電路的高精度與可靠性,。
2. 負(fù)性光刻膠（如 JT-1000）
   應(yīng)用場景：用于功率半導(dǎo)體（如 MOSFET,、IGBT）的制造，以及傳感器（如 MEMS）的微結(jié)構(gòu)成型,。
   特點(diǎn)：抗蝕刻能力強(qiáng),，適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異,。
3. 納米壓印光刻膠（JT-2000）
   應(yīng)用場景：第三代半導(dǎo)體（GaN、SiC）芯片,、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造。特點(diǎn)：耐高溫（250℃）、耐酸堿,，支持納米級精度圖案復(fù)制,，降低芯片的制造成本。

• YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于 45nm 及以上制程,，良率達(dá) 98% 以上,，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證,。
• SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,，良率提升至 98.5%,。
• JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限，圖形保真度 > 95%,，性能對標(biāo)德國 MicroResist 系列,，已應(yīng)用于國產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝。

松山湖光刻膠廠家吉田,，2000 萬級產(chǎn)能，48小時(shí)極速交付!江蘇水性光刻膠

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,，提升行業(yè)生產(chǎn)效率,，通過優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷等共性問題,，助力客戶降本增效。
針對傳統(tǒng)光刻膠留膜率低,、蝕刻損傷嚴(yán)重等問題,，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%，密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%,。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),，在顯影過程中減少有機(jī)溶劑對有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,，使芯片良率提升至 99.8%,。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,，推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。江蘇水性光刻膠

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),，在廣東省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步,，殘酷的市場磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,，勇于進(jìn)取的無限潛力,，吉田半導(dǎo)體供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去,，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜,，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足,，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,，要不畏困難，激流勇進(jìn),，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來！