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深圳阻焊光刻膠

來源： 發(fā)布時間：2025-05-06

吉田半導(dǎo)體 SU-3 負(fù)性光刻膠：國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,，吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠,，分辨率達(dá) 1.5μm,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性,，已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝,，不采用國外材料,，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,，為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐,。
納米壓印光刻膠哪家強?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!深圳阻焊光刻膠

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作為東莞松山湖的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,，成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠,。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，良率達(dá) 98% 以上，已通過中芯國際等晶圓廠驗證,；JT-2000 突破耐高溫極限,，在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性，適用于 EUV 光刻前道工藝,。依托進(jìn)口原材料與全自動化生產(chǎn)工藝,，產(chǎn)品通過 ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),，遠(yuǎn)銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程,。濟南水性光刻膠國產(chǎn)廠家吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展,，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。

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吉田半導(dǎo)體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認(rèn)證,，PCB 電路板制造

憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性,，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料。
吉田半導(dǎo)體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,，分辨率達(dá) 1.5μm,，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，適用于高密度電路板制造,。產(chǎn)品通過歐盟 RoHS 認(rèn)證,，采用無鹵無鉛配方，符合環(huán)保要求,。其優(yōu)異的感光度與留膜率,，確保復(fù)雜線路圖形的成型，已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn),。公司提供從材料選型到工藝優(yōu)化的全流程支持,，助力客戶提升生產(chǎn)效率與良率。

光刻膠的納米級性能要求

 超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊,，避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,，目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm（3nm制程）。

 低缺陷率：納米級結(jié)構(gòu)對膠層中的顆?；蚧瘜W(xué)不均性極其敏感,，需通過化學(xué)增幅型配方（如酸催化交聯(lián)）提升對比度和抗刻蝕性。

 多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物,、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕,、原子層沉積），例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠,。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向

? EUV光刻膠優(yōu)化：解決曝光后酸擴散導(dǎo)致的線寬波動,，開發(fā)含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度。

? 無掩膜光刻：結(jié)合機器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑,，直接寫入復(fù)雜納米圖案（如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列）,，縮短制備周期。

? 生物基光刻膠：開發(fā)可降解,、低毒性的天然高分子光刻膠,，用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。

吉田半導(dǎo)體：以技術(shù)革新驅(qū)動光刻膠產(chǎn)業(yè)升級。

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技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破

 全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成,、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,，實現(xiàn)了3μm的分辨率,，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,。
技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù),，部分原材料純度達(dá)PPT級,。

 細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)

? 納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領(lǐng)域（如量子點顯示、生物芯片）實現(xiàn)技術(shù)突破,，分辨率達(dá)3μm,，填補國內(nèi)空缺。

? LCD光刻膠：針對顯示面板行業(yè)需求,，開發(fā)出高感光度,、高對比度的光刻膠，適配AMOLED,、Micro LED等新型顯示技術(shù),。

 研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認(rèn)證，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠,，計劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),。
負(fù)性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景。廣東UV納米光刻膠國產(chǎn)廠商

光刻膠解決方案找吉田,，ISO 認(rèn)證 +8S 管理,，良率達(dá) 98%!深圳阻焊光刻膠

 晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料,。

? 細(xì)分場景：

? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）,、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標(biāo)7nm以下,，研發(fā)中）,。

? 功率半導(dǎo)體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求,。

? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)（如加速度計,、陀螺儀的懸臂梁）。

 芯片封裝（后道工藝）

? 先進(jìn)封裝技術(shù)：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL）,，線寬精度要求≤10μm,。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中,，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）,。

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標(biāo)簽： 光刻膠 錫片