厚板光刻膠

• 電路板制造：在制作對(duì)線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí),，厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性，比如汽車電子,、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板,，能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況,。
• 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件,，需要承受高電壓和大電流，厚板光刻膠可用于其芯片制造過(guò)程中的光刻環(huán)節(jié),，保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局,，提高器件的性能和可靠性。

負(fù)性光刻膠

• 半導(dǎo)體制造：在芯片制造過(guò)程中,，用于制作一些對(duì)精度要求高,、圖形面積較大的結(jié)構(gòu)，如芯片的金屬互連層,、接觸孔等,。通過(guò)負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝，能實(shí)現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移,，確保芯片各部分之間的電氣連接正常,。
• 平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（OLED）的制造中，用于制作電極,、像素等大面積圖案,。以 LCD 為例，負(fù)性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,，控制液晶分子的排列,，從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。

光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體,。貴州PCB光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商

• YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于 45nm 及以上制程,，良率達(dá) 98% 以上，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,，已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,。
• SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,，良率提升至 98.5%。
• JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限,，圖形保真度 > 95%,，性能對(duì)標(biāo)德國(guó) MicroResist 系列，已應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝,。

1. 正性光刻膠（如 YK-300）
   應(yīng)用場(chǎng)景：用于芯片的精細(xì)圖案化，如集成電路（IC）,、分立器件（二極管,、三極管）的制造。
   特點(diǎn)：高分辨率（可達(dá)亞微米級(jí)）,，適用于多層光刻工藝,，確保芯片電路的高精度與可靠性。
2. 負(fù)性光刻膠（如 JT-1000）
   應(yīng)用場(chǎng)景：用于功率半導(dǎo)體（如 MOSFET,、IGBT）的制造,，以及傳感器（如 MEMS）的微結(jié)構(gòu)成型。
   特點(diǎn)：抗蝕刻能力強(qiáng),，適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
3. 納米壓印光刻膠（JT-2000）
   應(yīng)用場(chǎng)景：第三代半導(dǎo)體（GaN,、SiC）芯片,、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造。特點(diǎn)：耐高溫（250℃）,、耐酸堿,，支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,，降低芯片的制造成本。

松山湖光刻膠廠家吉田，23 年經(jīng)驗(yàn) + 全自動(dòng)化產(chǎn)線,，支持納米壓印光刻膠定制,！貴州PCB光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商