河南阻焊光刻膠國產(chǎn)廠家

來源：發(fā)布時間：2025-05-26

關(guān)鍵工藝流程

涂布：

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。

前烘（Soft Bake）：

? 加熱（80-120℃）去除溶劑,，固化膠膜,，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）,。

曝光：

? 光源匹配：

? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬,，如PCB,、LCD）。

? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。

? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程,，需控制納米級缺陷）。

? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

顯影：

? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨,，TMAH）,，曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留,，形成三維立體圖案。

后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,，通過加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng),，提高分辨率和耐蝕刻性。

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定義與特性

負(fù)性光刻膠是一種在曝光后,，未曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形,。與正性光刻膠相比,，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單,、成本低,，但分辨率較低（通常≥1μm）,，主要應(yīng)用于對精度要求相對較低,、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。

化學(xué)組成與工作原理

主要成分

基體樹脂：

? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主,，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯,，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。

光敏劑：

? 主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物,，占比約5%-10%,，吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)。

交聯(lián)劑：

? 如六亞甲基四胺（烏洛托品）,，在曝光后與樹脂發(fā)生交聯(lián),，形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

溶劑：

? 多為有機溶劑（如二甲苯,、環(huán)己酮）,，溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜,。

工作原理

曝光前：光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹脂中,，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）。

曝光時：

? 光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產(chǎn)生活性自由基,，引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂分子間的共價鍵交聯(lián),，使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

顯影后：

? 未曝光區(qū)域的樹脂因未交聯(lián),，被顯影液溶解去除,，曝光區(qū)域保留,，形成負(fù)性圖案（與掩膜版相反）。

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全品類覆蓋
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠,、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠,、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,，覆蓋芯片制造、顯示面板,、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商。
關(guān)鍵技術(shù)突破
納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,，支持納米級精度圖案復(fù)制,，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域，技術(shù)指標(biāo)接近國際先進水平,。
水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑,，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),，環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品,。
厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達(dá)數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求,。

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,，通過掩膜曝光,、顯影,，刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）,。

印刷電路板（PCB）：

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,，制作線路和焊盤。

顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片,、電極圖案等,。

微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）,。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠,，烘干形成薄膜。

2. 曝光：通過掩膜版,，用特定波長光線照射,，曝光區(qū)域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液,。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域,，留下未曝光的光刻膠圖案,，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區(qū)域）,，或去除光刻膠（剝離工藝）,。

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厚板光刻膠

電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時，厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性,，比如汽車電子,、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板，能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流,、高電壓等工況,。
功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流,，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié),，保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局，提高器件的性能和可靠性,。

負(fù)性光刻膠

半導(dǎo)體制造：在芯片制造過程中,，用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結(jié)構(gòu),，如芯片的金屬互連層,、接觸孔等。通過負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝,，能實現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移,，確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機發(fā)光二極管顯示器（OLED）的制造中,，用于制作電極,、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,，負(fù)性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,，控制液晶分子的排列，從而實現(xiàn)圖像顯示,。

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企業(yè)定位與資質(zhì)

? 成立背景：深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年,，位于松山湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),，注冊資本2000萬元，是國家高新技術(shù)企業(yè),、廣東省專精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè),。

? 質(zhì)量體系：通過ISO9001:2008認(rèn)證，嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理，原材料源自美國,、德國,、日本等國，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性,。

? 市場布局：產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球,，與世界500強企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長期合作關(guān)系，覆蓋集成電路,、顯示面板,、先進封裝等領(lǐng)域。

河南阻焊光刻膠國產(chǎn)廠家

企業(yè)優(yōu)勢

? 研發(fā)能力：擁有多項專利證書,，自主研發(fā)芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品，配備全自動化生產(chǎn)設(shè)備,，具備從材料合成到成品制造的全流程能力,。

? 產(chǎn)能與品控：采用進口原材料和嚴(yán)格制程管控，確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如半導(dǎo)體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb）,，良率達(dá)99%以上,。

標(biāo)簽：錫片光刻膠

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