廣東進口光刻膠國產(chǎn)廠商

來源：發(fā)布時間：2025-06-14

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領(lǐng)域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號,，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準,，保質(zhì)期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,，如特定電路板制造,。

負性光刻膠

SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對比度良好,，曝光靈敏度高,，光源適應(yīng)，重量 100g,。常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工,、半導體制造等領(lǐng)域,。

正性光刻膠松山湖企業(yè)深耕光刻膠領(lǐng)域二十載，提供全系列半導體材料解決方案,。廣東進口光刻膠國產(chǎn)廠商

LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光,、高分辨率、良好涂布和附著力,，重量 100g,。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉(zhuǎn)移和良好涂布效果,。
半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸,、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,，重量 100g,。主要用于半導體制造工藝，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求,。

技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm）,，通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計改善。

缺陷控制：

? 半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb,，顆粒（＞50nm）＜1個/mL,，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

國產(chǎn)化突破：

? 國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽,、南大光電,、容大感光）已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR,、美國陶氏,、德國默克壟斷，需突破樹脂合成,、PAG純度等瓶頸,。

環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）,。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線,，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）,。

? DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）,、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下,，全球市占率超70%）,。

正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術(shù)進步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,，未來將持續(xù)向更高精度,、更低缺陷,、更綠色工藝演進。

西安進口光刻膠感光膠吉田半導體：以技術(shù)革新驅(qū)動光刻膠產(chǎn)業(yè)升級,。

光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域

光刻膠是微電子制造的主要材料,，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

半導體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜,。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液,，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）,。

? 負性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解,，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）,。

? 技術(shù)演進：隨制程精度提升,，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV,、極紫外EUV）,，例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）,、彩色層（R/G/B）和保護層。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,，需高透光率和精細邊緣控制,。

印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域,，蝕刻去除未保護的銅箔,，形成導電線路。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域,，防止短路,；字符膠用于印刷電路板標識。

LED與功率器件

? 芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu),，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠,。

? Micro-LED：微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）,。

主要應(yīng)用場景

印刷電路板（PCB）：

? 通孔/線路加工：負性膠厚度可達20-50μm,，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅）,，適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板,、多層板的外層電路,。

? 阻焊層：作為絕緣保護層,，覆蓋非焊盤區(qū)域，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上）,，負性膠因工藝簡單,、成本低而廣泛應(yīng)用。

微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 深硅蝕刻（DRIE）：負性膠作為蝕刻掩膜,，厚度可達100μm以上,，耐SF?等強腐蝕性氣體，用于制作加速度計,、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）,。

? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用負性膠的厚膠成型能力,。

平板顯示（LCD）：

? 彩色濾光片（CF）基板預(yù)處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布,。

功率半導體與分立器件：

? IGBT,、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻,，降低工藝成本,。

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關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光,、顯影,，刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）,。

印刷電路板（PCB）：

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,，制作線路和焊盤。

顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片,、電極圖案等,。

微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）,。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠,，烘干形成薄膜。

2. 曝光：通過掩膜版,，用特定波長光線照射,，曝光區(qū)域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液,。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域,，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層,。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區(qū)域）,，或去除光刻膠（剝離工藝）。

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標簽：錫膏光刻膠錫片

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