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遼寧紫外光刻膠廠家

來源： 發(fā)布時(shí)間：2025-06-24

厚板光刻膠

  • 電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時(shí)，厚板光刻膠可確保線路的精細(xì)度和穩(wěn)定性,，比如汽車電子,、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板，能承受復(fù)雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。
  • 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流,，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié)，保障芯片內(nèi)部電路的精細(xì)布局,，提高器件的性能和可靠性,。


負(fù)性光刻膠

  • 半導(dǎo)體制造：在芯片制造過程中，用于制作一些對精度要求高,、圖形面積較大的結(jié)構(gòu),，如芯片的金屬互連層、接觸孔等,。通過負(fù)性光刻膠的曝光和顯影工藝,，能實(shí)現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移，確保芯片各部分之間的電氣連接正常,。
  • 平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（OLED）的制造中,，用于制作電極、像素等大面積圖案,。以 LCD 為例,，負(fù)性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案，控制液晶分子的排列,，從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示,。


光刻膠的感光靈敏度受波長影響,，深紫外光(DUV)與極紫外光(EUV)對應(yīng)不同產(chǎn)品。遼寧紫外光刻膠廠家

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正性光刻膠

  • 半導(dǎo)體分立器件制造：對于二極管,、三極管等半導(dǎo)體分立器件,，正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工，滿足不同功能需求,。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí),，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度，能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu),，提高器件性能,。
  • 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等,，結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小,。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟，可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu),，確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn),。


深圳PCB光刻膠感光膠紫外光照射下，光刻膠會發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),，從而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移與固定,。

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 研發(fā)投入
? 擁有自己實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)費(fèi)用占比超15%,，聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體、低缺陷納米壓印膠等前沿領(lǐng)域,，與中山大學(xué),、華南理工大學(xué)建立產(chǎn)學(xué)研合作。

? 專項(xiàng)布局：累計(jì)申請光刻膠相關(guān)的項(xiàng)目30余項(xiàng),，涵蓋樹脂合成,、配方優(yōu)化、涂布工藝等細(xì)致環(huán)節(jié),。

 生產(chǎn)體系

? 全自動化產(chǎn)線：采用德國曼茨（Manz）涂布設(shè)備,、日本島津（Shimadzu）檢測儀器，年產(chǎn)能超500噸（光刻膠）,，支持小批量定制（小訂單100g）和大規(guī)模量產(chǎn),。

? 潔凈環(huán)境：生產(chǎn)車間達(dá)萬級潔凈標(biāo)準(zhǔn)（ISO 8級），避免顆粒污染,，確保光刻膠缺陷密度<5個(gè)/cm2,。

? 化學(xué)反應(yīng)：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸,，在堿性顯影液中溶解,；

? 負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域,；

? 負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯,、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域,。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體）,，時(shí)間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度,。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜,，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高,，如180℃）,；

? 時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜,，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅,、金屬、玻璃）,；

? 離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域,，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）,；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域,，無殘留）。

吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,。

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關(guān)鍵工藝流程

 涂布與前烘：

? 旋涂或噴涂負(fù)性膠，厚度可達(dá)1-100μm（遠(yuǎn)厚于正性膠）,，前烘溫度60-90℃,，去除溶劑并增強(qiáng)附著力。

 曝光：

? 光源以**汞燈G線（436nm）**為主,，適用于≥1μm線寬,，曝光能量較高（約200-500mJ/cm2），需注意掩膜版與膠膜的貼合精度,。

 顯影：

? 使用有機(jī)溶劑顯影液（如二甲苯,、醋酸丁酯），未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解,，曝光的交聯(lián)膠膜保留,。

 后處理：

? 后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進(jìn)一步固化交聯(lián)結(jié)構(gòu)，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力,。

PCB光刻膠用于線路板圖形轉(zhuǎn)移,，需耐受蝕刻液的化學(xué)腐蝕作用,。湖南阻焊油墨光刻膠生產(chǎn)廠家

松山湖半導(dǎo)體材料廠家吉田，全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn),！遼寧紫外光刻膠廠家

作為中國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè),，吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,，成功突破多項(xiàng) “卡脖子” 技術(shù),，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造,、顯示面板,、精密電子等領(lǐng)域，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐,。
吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作,，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破：
  • YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm,，適用于 45nm 及以上制程,，良率達(dá) 98% 以上，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證,。
  • SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min,，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,，良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限,，圖形保真度 > 95%,，性能對標(biāo)德國 MicroResist 系列，已應(yīng)用于國產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝,。
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標(biāo)簽： 光刻膠 錫膏 錫片