磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場(chǎng)和交變磁場(chǎng)的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面,，能量交換后,，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜,。磁控濺射的特點(diǎn)是成膜速率高,，基片溫度低,，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜,。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法,。磁控濺射設(shè)備一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點(diǎn)是在陽(yáng)極基片和陰極靶之間加一個(gè)直流電壓,，陽(yáng)離子在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材,，它的濺射速率一般都比較大。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材,，因?yàn)槿绻墙^緣體靶材,，則由于陽(yáng)粒子在靶表面積累，造成所謂的“靶中毒”,，濺射率越來(lái)越低,。隨著工業(yè)的需求和表面技術(shù)的發(fā)展，新型磁控濺射如高速濺射,、自濺射等成為磁控濺射領(lǐng)域新的發(fā)展趨勢(shì),。遼寧金屬磁控濺射設(shè)備

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）成膜致密、均勻,。濺射的薄膜聚集密度普遍提高了,。從顯微照片看，濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密,，而且非常均勻,。（2）濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能,、電學(xué)性能及某些特殊性能,。（3）易于組織大批量生產(chǎn)。磁控源可以根據(jù)要求進(jìn)行擴(kuò)大,，因此大面積鍍膜是容易實(shí)現(xiàn)的,。再加上濺射可連續(xù)工作，鍍膜過(guò)程容易自動(dòng)控制,，因此工業(yè)上流水線作業(yè)完全成為可能,。（4）工藝環(huán)保。傳統(tǒng)的濕法電鍍會(huì)產(chǎn)生廢液,、廢渣,、廢氣，對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的污染,。不產(chǎn)生環(huán)境污染,、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。遼寧金屬磁控濺射設(shè)備磁控濺射目前是一種應(yīng)用十分普遍的薄膜沉積技術(shù),。

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射,，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈,，在靶材表面形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)。沉積室充入一定量的工作氣體,，通常為Ar,，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子，產(chǎn)生輝光放電,，Ar+離子經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊靶材,，濺射出靶材原子、離子和二次電子等,。電子在相互垂直的電磁場(chǎng)的作用下,，以擺線方式運(yùn)動(dòng)，被束縛在靶材表面,，延長(zhǎng)了其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡,，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過(guò)程，電離出更多的離子,，提高了氣體的離化率,，在較低的氣體壓力下也可維持放電，因而磁控濺射既降低濺射過(guò)程中的氣體壓力,，也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率,。

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點(diǎn)：1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場(chǎng)迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場(chǎng)轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場(chǎng)控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時(shí),可以看見(jiàn)濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光,形成一個(gè)光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴(yán)重的部位,會(huì)濺射出一條環(huán)狀的溝槽.環(huán)狀磁場(chǎng)是電子運(yùn)動(dòng)的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來(lái).磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材報(bào)廢,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2,、等離子體不穩(wěn)定,。磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極。

磁控濺射設(shè)備的主要用途：（1）各種功能性薄膜：如具有吸收,、透射,、反射、折射,、偏光等作用的薄膜。例如,，低溫沉積氮化硅減反射膜,，以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,，如各種全反射膜及半透明膜等,，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等,。（3）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機(jī)。（4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)困難及不適用的材料薄膜沉積,，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜,。（5）在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽(yáng)能電池,、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等,。（6）在機(jī)械加工行業(yè)中,，表面功能膜、超硬膜,，自潤(rùn)滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足發(fā)展,，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性,、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。磁控濺射屬于輝光放電范疇,，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜,。遼寧金屬磁控濺射設(shè)備

磁控濺射鍍膜的適用范圍：在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。遼寧金屬磁控濺射設(shè)備

磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向,，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只是基片,，真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿,。但一般基片與真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì)。磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀,，而不是只在靶面圓周運(yùn)動(dòng),。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場(chǎng)磁力線呈圓周形狀分布,。磁力線分布方向不同會(huì)對(duì)成膜有很大關(guān)系,。在EXBshift機(jī)理下工作的除磁控濺射外，還有多弧鍍靶源,，離子源,，等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場(chǎng)方向,，電壓電流大小等因素,。遼寧金屬磁控濺射設(shè)備