談到磁控濺射，首先就要說濺射技術(shù),。濺射技術(shù)是指使得具有一定能量的粒子轟擊材料表面,，使得固體材料表面的原子或分子分離,，飛濺落于另一物體表面形成鍍膜的技術(shù),。被粒子轟擊的材料稱為靶材,，而被鍍膜的固體材料稱為基片,。首先由極板發(fā)射出粒子,，這些粒子一般是電子,，接著使它們在外電場加速下與惰性氣體分子一般是氬氣分子（即Ar原子）碰撞,，使得其電離成Ar離子和二次電子。Ar離子會受到電場的作用,，以高速轟擊靶材,，使靶材表面原子或分子飛濺出去，落于基片表面沉積下來形成薄膜,。隨著工業(yè)的需求和表面技術(shù)的發(fā)展,，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領(lǐng)域新的發(fā)展趨勢,。廣東直流磁控濺射平臺

高速率磁控濺射本質(zhì)特點是產(chǎn)生大量的濺射粒子,，導致較高的沉積速率。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射,，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生,，兩種過程的結(jié)合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較，高速濺射和自濺射的特點在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,，（Pd為磁控靶功率,，S為靶表面積）。高速濺射有一定的限制,，因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射,，如足夠高的靶源密度，靶材足夠的產(chǎn)額和濺射氣體壓力,，并且要獲得較大氣體的離化率,。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻。廣州多層磁控濺射用途磁控濺射在技術(shù)上可以分為直流(DC)磁控濺射,、中頻(MF)磁控濺射,、射頻(RF)磁控濺射。

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點：1,、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時,可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發(fā)出強烈的淡藍色輝光,形成一個光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴重的部位,會濺射出一條環(huán)狀的溝槽.環(huán)狀磁場是電子運動的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來.磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會導致整塊靶材報廢,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2,、等離子體不穩(wěn)定。

在各種濺射鍍膜技術(shù)中,，磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一,，為了制備大面積均勻且批量一致好的薄膜，釆用優(yōu)化靶基距,、改變基片運動方式,、實行膜厚監(jiān)控等措施。多工位磁控濺射鍍膜儀器由于其速度比可調(diào)以及同時制作多個基片,，效率大幅度提高,，被越來越多的重視和使用。在實際鍍膜中,，有時靶材料是不宜中間開孔的,，而且對于磁控濺射系統(tǒng)，所以在實際生產(chǎn)中通過改變靶形狀來改善膜厚均勻性的方法是行不通的,。因此找到一種能改善膜厚均勻性并且可行的方法是非常有必要且具有重要意義的,。磁控濺射鍍膜的適用范圍：在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用。

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬,、半導體、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點,。上世紀70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率,。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞,，把部分動量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程,。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量,，離開靶被濺射出來。磁控濺射法實現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。廣州多層磁控濺射用途

磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當中使用較普遍的一種鍍膜工藝,。廣東直流磁控濺射平臺

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點：1,、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,，可獲得的離子流很大,，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大,、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2、功率效率高,。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,，通常為600V，因為600V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi),。3,、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,，磁場將等離子體約束在陰極附近,，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。廣東直流磁控濺射平臺

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