射頻MEMS技術(shù)傳統(tǒng)上分為固定的和可動的兩類,。固定的MEMS器件包括本體微機(jī)械加工傳輸線,、濾波器和耦合器，可動的MEMS器件包括開關(guān)、調(diào)諧器和可變電容,。按技術(shù)層面又分為由微機(jī)械開關(guān)、可變電容器和電感諧振器組成的基本器件層面,；由移相器,、濾波器和VCO等組成的組件層面；由單片接收機(jī),、變波束雷達(dá),、相控陣?yán)走_(dá)天線組成的應(yīng)用系統(tǒng)層面。MEMS工藝以成膜工序,、光刻工序,、蝕刻工序等常規(guī)半導(dǎo)體工藝流程為基礎(chǔ)。硅基MEMS加工技術(shù)主要包括體硅MEMS加工技術(shù)和表面MEMS加工技術(shù),。體硅MEMS加工技術(shù)的主要特點是對硅襯底材料的深刻蝕,，可得到較大縱向尺寸可動微結(jié)構(gòu)。表面MEMS加工技術(shù)主要通過在硅片上生長氧化硅,、氮化硅,、多晶硅等多層薄膜來完成MEMS器件的制作。利用表面工藝得到的可動微結(jié)構(gòu)的縱向尺寸較小,，但與IC工藝的兼容性更好,，易與電路實現(xiàn)單片集成。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭,。遼寧半導(dǎo)體器件加工

單晶硅是從大自然豐富的硅原料中提純制造出多晶硅,，再通過區(qū)熔或直拉法生產(chǎn)出區(qū)熔單晶或直拉單晶硅，進(jìn)一步形成硅片,、拋光片,、外延片等,。直拉法生長出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件,。而區(qū)熔法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件,。直拉法加工工藝：加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長，長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出,，即完成一次生長周期,。懸浮區(qū)熔法加工工藝：先從上、下兩軸用夾具精確地垂直固定棒狀多晶錠,。用電子轟擊,、高頻感應(yīng)或光學(xué)聚焦法將一段區(qū)域熔化，使液體靠表面張力支持而不墜落,。移動樣品或加熱器使熔區(qū)移動,。這種方法不用坩堝，能避免坩堝污染,，因而可以制備很純的單晶,，也可采用此法進(jìn)行區(qū)熔。遼寧半導(dǎo)體器件加工蝕刻技術(shù)把對光的應(yīng)用推向了極限,。

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時,，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),。當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流,。當(dāng)外界有反向電壓偏置時,，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流,。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時,，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對,，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分,。

半導(dǎo)體元器件的制備首先要有較基本的材料——硅晶圓,，通過在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等）,，為上述各制程中所需技術(shù)較復(fù)雜且資金投入較多的過程。由于芯片是高精度的產(chǎn)品,，因此對制造環(huán)境有很高的要求,，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵均需控制的無塵室,。此外,，一枚芯片所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而且使用的加工機(jī)臺先進(jìn)且昂貴,，動輒數(shù)千萬一臺,，雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑粗?，接著進(jìn)行氧化及沈積,，較後進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟,，以完成晶圓上電路的加工與制作,。表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)。

硅片在進(jìn)入每道工序之前表面必須是潔凈的,，需經(jīng)過重復(fù)多次的清洗步驟,，除去表面的污染物。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行,，在芯片的制造過程中,，任何的沾污現(xiàn)象都將影響芯片上器件的正常功能。沾污雜質(zhì)具體指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率以及電學(xué)性能的物質(zhì),。具體的沾污物包括顆粒,、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等,，此類污染物包括從環(huán)境,、其他制造工藝、刻蝕副產(chǎn)物,、研磨液等,。上述沾污雜質(zhì)如果不及時清理均可能導(dǎo)致后續(xù)工藝的失敗，導(dǎo)致電學(xué)失效,，較終會造成芯片報廢,。單晶硅生產(chǎn)工藝：加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的Ｎ或Ｐ型而定,。遼寧半導(dǎo)體器件加工

半導(dǎo)體硅片制造包括硅單晶生長,、切割、研磨、拋光,、研磨,、清洗、熱處理,、外延,、硅片分析等多個環(huán)節(jié)。遼寧半導(dǎo)體器件加工

MEMS制造工藝是下至納米尺度,，上至毫米尺度微結(jié)構(gòu)加工工藝的通稱,。廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富,，幾乎涉及了各種現(xiàn)代加工技術(shù),。起源于半導(dǎo)體和微電子工藝，以光刻,、外延,、薄膜淀積、氧化,、擴(kuò)散,、注入、濺射,、蒸鍍,、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來制造復(fù)雜三維形體的微加工技術(shù),。微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米,、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計、加工,、組裝,、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣,、多學(xué)科交叉融合,，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列適用技術(shù),，研制微型傳感器,、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化,、批量化,、成本低的鮮明特點，對現(xiàn)代的生活,、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用,，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè),。遼寧半導(dǎo)體器件加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營品牌有芯辰實驗室,微納加工，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊不斷壯大,，該公司服務(wù)型的公司,。公司是一家****企業(yè)，以誠信務(wù)實的創(chuàng)業(yè)精神,、專業(yè)的管理團(tuán)隊,、踏實的職工隊伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品,。公司業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)，價格合理,，品質(zhì)有保證,，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來,，一直堅持走正規(guī)化,、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認(rèn)可與大力支持,。