光刻膠供應商與客戶粘性大；一般情況下,，為了保持光刻膠供應和效果的穩(wěn)定，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關系后,，不會輕易更換,。通過建立反饋機制，滿足個性化需求,，光刻膠供應商與客戶的粘性不斷增加,。后來者想要加入到供應商行列，往往需要滿足比現(xiàn)有供應商更高的要求,。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高,。通常光刻膠等微電子化學品不僅品質要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需,。如果沒有規(guī)模效益,，供應商就無法承擔滿足***多樣化需求帶來的開銷。因此,，品種規(guī)模構成了進入該行業(yè)的重要壁壘,。光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一。數(shù)字光刻加工廠商

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝,。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干,、涂底,、旋涂光刻膠,、軟烘、對準曝光,、后烘,、顯影、硬烘,、刻蝕,、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘,，氮氣保護）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒、有機物,、工藝殘余,、可動離子）；b,、除去水蒸氣,，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪姳砻娴酿じ叫裕▽饪棠z或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）,。東莞硅片光刻深紫外線堅膜使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。

正膠光刻的基本流程：襯底清洗,、前烘以及預處理,，涂膠、軟烘,、曝光,、顯影、圖形檢查,，后烘,。負膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理,、涂膠,、軟烘、曝光,、后烘,、顯影、圖形檢查,。正膠曝光前,，光刻膠不溶于顯影液，曝光后,，曝光區(qū)溶于顯影液,，圖形與掩膜版圖形相同,；而負性光刻膠，曝光前光刻膠可溶于顯影液,，曝光后,，被曝光區(qū)不溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同,。光刻可能會出現(xiàn)顯影不干凈的異常,，主要原因可能是顯影時間不足、顯影溶液使用周期過長,，溶液溶解膠量較多,、曝光時間不足，主要的解決方法有增加顯影時間,、更換新的顯影液，增強溶液溶解能力,、增加曝光時間,。

在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜,。接著在復雜的曝光裝置中,，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化,，在隨后的化學顯影過程中被去除,。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中,，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕,，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上,，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代,，聯(lián)同其他多個物理過程，便產(chǎn)生集成電路,。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法,，在微納加工當中不可或缺的技術,。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的,。1.清洗：清洗襯底表面的有機物,。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光,。將光刻版與襯底對準,，在紫外光下曝光一定的時間,。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中,。5.后烘,。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力,。光刻是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉移技術。光刻技術是借用照相技術,、平板印刷技術的基礎上發(fā)展起來的半導體關鍵工藝技術,。正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理,，涂膠,、軟烘、曝光,、顯影,、圖形檢查，后烘,。天津光刻外協(xié)

光刻技術是指在光照作用下,，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。數(shù)字光刻加工廠商

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開,。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大,、復印精度好,、曝光設備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點,。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制,。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中,、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn),。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中,，掩膜圖形經(jīng)光學系統(tǒng)成像在感光層上,，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高,，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求,。但投影曝光設備復雜，技術難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統(tǒng),。數(shù)字光刻加工廠商

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