光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程,。其中不同的光刻過程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù),。中山微納光刻

接觸式光刻曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1μm的特征尺寸,，常用的光源分辨率為0.5μm左右,。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠,，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上,，臺(tái)子可以進(jìn)行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制,。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場(chǎng)的顯微鏡同時(shí)觀察,，這樣操作者用手動(dòng)控制定位臺(tái)子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對(duì)準(zhǔn)了。經(jīng)過紫外光曝光,，光線通過掩模版透明的部分,，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。MEMS光刻服務(wù)光刻技術(shù)是借用照相技術(shù),、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù),。

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形,，而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形,。所以需要去除。方法：a,、化學(xué)的方法（ChemicalEBR）,。軟烘后，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,，噴出少量在正反面邊緣處,，并小心控制不要到達(dá)光刻膠有效區(qū)域；b,、光學(xué)方法（OpticalEBR）,。即硅片邊緣曝光（WEE，WaferEdgeExposure）,。在完成圖形的曝光后,，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解,；對(duì)準(zhǔn)方法：a,、預(yù)對(duì)準(zhǔn),，通過硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)；b,、通過對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志（AlignMark）,，位于切割槽（ScribeLine）上。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法,，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù),。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的,。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物,。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光,。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn),，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間,，受過紫外線曝光的地方會(huì)溶解在顯影液當(dāng)中,。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘,，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力,。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù),。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù),、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。顯影液：正性光刻膠的顯影液,。正膠的顯影液位堿性水溶液,。

光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性，如果質(zhì)量稍微出點(diǎn)問題,，損失將會(huì)是巨大的,。去年2月，某半導(dǎo)體代工企業(yè)因?yàn)楣饪棠z的原因?qū)е戮A污染,，報(bào)廢十萬片晶圓,，直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,，另一個(gè)重要原因是,，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，光刻膠已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟且固化的產(chǎn)業(yè),。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴,，2013年之后，相關(guān)專利的申請(qǐng)已經(jīng)開始銳減,。市場(chǎng)較小,，技術(shù)壁壘又高,，這意味著對(duì)于企業(yè)來說，發(fā)展光刻膠性價(jià)比不高,，即便研發(fā)成功一款光刻膠,，也要面臨較長的認(rèn)證周期，需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系,。光刻機(jī)又被稱為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等,。中山光刻加工

目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,，有2-3代差距,。中山微納光刻

光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝,，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。中山微納光刻

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚,。是一家****企業(yè),，隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究,，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn),，追求新型，在強(qiáng)化內(nèi)部管理,，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí),，良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格,、完善的服務(wù),，在業(yè)界受到寬泛好評(píng),。以滿足顧客要求為己任；以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn),；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo),，提供***的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,，打造高指標(biāo)的服務(wù),，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。