光刻膠是光刻工藝中較關(guān)鍵材料，國產(chǎn)替代需求緊迫,。光刻工藝是指在光照作用下,，借助光刻膠將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù),，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,，隨著集成電路線寬縮小、集成度大為提升,，光刻工藝技術(shù)難度大幅提升,，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。同時,，器件和走線的復(fù)雜度和密集度大幅度提升,，較好制程關(guān)鍵層次需要兩次甚至多次曝光來實現(xiàn)。其中,，光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步,，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大,，衍生出非常多的種類。不同用途的光刻膠曝光光源,、反應(yīng)機(jī)理,、制造工藝、成膜特性,、加工圖形線路的精度等性能要求不同,，導(dǎo)致對于材料的溶解性、耐蝕刻性,、感光性能,、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學(xué)結(jié)構(gòu),、性能上都比較特殊,，要求使用不同品質(zhì)等級的光刻膠**化學(xué)品。光刻版就是在蘇打材料通過光刻,、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形,。江西光刻實驗室

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù),。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干,、涂底,、旋涂光刻膠、軟烘,、對準(zhǔn)曝光,、后烘,、顯影、硬烘,、刻蝕,、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘,，氮氣保護(hù)）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒、有機(jī)物,、工藝殘余,、可動離子）；b,、除去水蒸氣,，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪?qiáng)表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）,。天津光刻深紫外線堅膜使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場87%的份額,，行業(yè)集中度高,。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司,。整個光刻膠市場格局來看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國大陸對于電子材料,，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導(dǎo)體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。

正膠光刻的基本流程：襯底清洗,、前烘以及預(yù)處理，涂膠,、軟烘,、曝光、顯影,、圖形檢查,，后烘。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗,、前烘以及預(yù)處理,、涂膠,、軟烘、曝光,、后烘,、顯影、圖形檢查,。正膠曝光前,，光刻膠不溶于顯影液，曝光后,，曝光區(qū)溶于顯影液,，圖形與掩膜版圖形相同；而負(fù)性光刻膠,，曝光前光刻膠可溶于顯影液,，曝光后，被曝光區(qū)不溶于顯影液,，圖形與掩膜版圖形相同,。光刻可能會出現(xiàn)顯影不干凈的異常，主要原因可能是顯影時間不足,、顯影溶液使用周期過長,，溶液溶解膠量較多、曝光時間不足,，主要的解決方法有增加顯影時間,、更換新的顯影液，增強(qiáng)溶液溶解能力,、增加曝光時間,。光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,。

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度,，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻,；與旋轉(zhuǎn)加速的時間點有關(guān),。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)（因為不同級別的曝光波長對應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm,；KrF的厚度約0.4～0.9μm,；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120C,30～60秒,；目的：除去溶劑（4～7%）；增強(qiáng)黏附性,；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力,；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后,，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積,。光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。廣東圖形光刻

光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。江西光刻實驗室

不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開始采用365nm波長光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高,，波長較短的兩個譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此較早被用來當(dāng)作光刻光源,。使用波長短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率,。江西光刻實驗室

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號，是一家專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件,、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持,。公司,。芯辰實驗室,微納加工是廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的主營品牌，是專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件,、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持,。公司，擁有自己**的技術(shù)體系,。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實力,，多年來一直專注于面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持。的發(fā)展和創(chuàng)新,，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù),。自公司成立以來，一直秉承“以質(zhì)量求生存,，以信譽求發(fā)展”的經(jīng)營理念,，始終堅持以客戶的需求和滿意為重點,，為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),，從而使公司不斷發(fā)展壯大。