晶圓的制作工藝流程：硅提純：將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃,，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下,，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合,，剩下硅)，得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅,，這對微電子器件來說不夠純,，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進(jìn)行進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng),，生成液態(tài)的硅烷,，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅,，其純度高達(dá)99.99%,，成為電子級硅。光刻工藝的基本流程是首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干,。云南集成電路半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺

光刻工藝的基本流程是首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干,。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,，實(shí)現(xiàn)曝光,，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤,，即所謂的曝光后烘烤,，后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。較后,，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,，對曝光圖形顯影。顯影后,，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠,、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的,，曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的,，晶圓通過機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送,。整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中,，以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響,。云南集成電路半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺蝕刻是芯片生產(chǎn)過程中重要操作，也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù),。

單晶硅片是單晶硅棒經(jīng)由一系列工藝切割而成的,，制備單晶硅的方法有直拉法（CZ法）、區(qū)熔法（FZ法）和外延法,，其中直拉法和區(qū)熔法用于制備單晶硅棒材,。區(qū)熔硅單晶的較大需求來自于功率半導(dǎo)體器件。直拉法簡稱CZ法。CZ法的特點(diǎn)是在一個(gè)直筒型的熱系統(tǒng)匯總,，用石墨電阻加熱,，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接,，同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶,，再反轉(zhuǎn)坩堝，籽晶緩慢向上提升,，經(jīng)過引晶,、放大、轉(zhuǎn)肩,、等徑生長,、收尾等過程，得到單晶硅,。

MEMS制造是基于半導(dǎo)體制造技術(shù)上發(fā)展起來的,；它融合了擴(kuò)散、薄膜（PVD/CVD）,、光刻,、刻蝕（干法刻蝕、濕法腐蝕）等工藝作為前段制程,，繼以減薄,、切割、封裝與測試為后段,，輔以精密的檢測儀器來嚴(yán)格把控工藝要求,，來實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)要求。MEMS制程各工藝相關(guān)設(shè)備的極限能力又是限定器件尺寸的關(guān)鍵要素,，且其相互之間的配套方能實(shí)現(xiàn)設(shè)備成本的較低,；MEMS生產(chǎn)中的薄膜指通過蒸鍍、濺射,、沉積等工藝將所需物質(zhì)覆蓋在基片的表層,，根據(jù)其過程的氣相變化特性，可分為PVD與CVD兩大類,。表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù),。

表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)。它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu),。表面硅MEMS加工技術(shù)的基本思路是：先在基片上淀積一層稱為分離層的材料,，然后在分離層上面淀積一層結(jié)構(gòu)層并加工成所需圖形。在結(jié)構(gòu)加工成型后,，通過選擇腐蝕的方法將分離層腐蝕掉,，使結(jié)構(gòu)材料懸空于基片之上,，形成各種形狀的二維或三維結(jié)構(gòu)。表面硅MEMS加工工藝成熟,，與IC工藝兼容性好,，可以在單個(gè)直徑為幾十毫米的單晶硅基片上批量生成數(shù)百個(gè)MEMS裝置。整流二極管一般為平面型硅二極管,，用于各種電源整流電路中,。云南集成電路半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺

廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富,，幾乎涉及了各種現(xiàn)代加工技術(shù),。云南集成電路半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺

MOS場效應(yīng)管的制作流程是：1.將硅單晶切成大圓片，并加以研磨,、拋光,。2.拋光后的片子經(jīng)仔細(xì)清洗后，熱生長一層二氧化硅層,。（一次氧化）3.用光刻技術(shù)可除漏,、源擴(kuò)散窗口上的二氧化硅。（一次光刻）4.進(jìn)行選擇性的雜質(zhì)擴(kuò)散,。5.去處所有二氧化硅,，重新生長一層質(zhì)量良好的柵極二氧化硅層，并進(jìn)行磷處理,。（二次氧化+磷處理）6.刻除漏,、源引線窗口上的二氧化硅。（二次光刻）7.在真空系統(tǒng)中蒸發(fā)鋁（鋁蒸發(fā)）,。8.反刻電極,。9.進(jìn)行合金。10.檢出性能良好的管芯,，燒焊在管座上,，鍵合引線。11.監(jiān)察質(zhì)量（中測）12.封上管帽,，噴漆。13.總測,。14.打印,，包裝。云南集成電路半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號,，交通便利,，環(huán)境優(yōu)美，是一家服務(wù)型企業(yè),。公司是一家****企業(yè),，以誠信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神,、專業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍,，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品,。以滿足顧客要求為己任；以顧客永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn),；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標(biāo),，提供***的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場需求,，通過**技術(shù),，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。