硅片在進(jìn)入每道工序之前表面必須是潔凈的,，需經(jīng)過重復(fù)多次的清洗步驟,，除去表面的污染物,。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行,，在芯片的制造過程中，任何的沾污現(xiàn)象都將影響芯片上器件的正常功能,。沾污雜質(zhì)具體指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率以及電學(xué)性能的物質(zhì),。具體的沾污物包括顆粒,、有機(jī)物,、金屬和自然氧化層等，此類污染物包括從環(huán)境,、其他制造工藝,、刻蝕副產(chǎn)物、研磨液等,。上述沾污雜質(zhì)如果不及時(shí)清理均可能導(dǎo)致后續(xù)工藝的失敗,，導(dǎo)致電學(xué)失效，較終會(huì)造成芯片報(bào)廢,。區(qū)熔硅單晶的較大需求來自于功率半導(dǎo)體器件,。北京新材料半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺(tái)

微機(jī)械是指利用半導(dǎo)體技術(shù)（特別是平板印制術(shù)，蝕刻技術(shù)）設(shè)計(jì)和制造微米領(lǐng)域的三維力學(xué)系統(tǒng),，以及微米尺度的力學(xué)元件的技術(shù),。它開辟了制造集成到硅片上的微米傳感器和微米電機(jī)的嶄新可能性。微機(jī)械加工技術(shù)的迅速發(fā)展導(dǎo)致了微執(zhí)行器的誕生,。人們在實(shí)踐中認(rèn)識到,，硅材料不只有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。微機(jī)械加工技術(shù)的出現(xiàn)，使得制作硅微機(jī)械部件成為可能,。MEMS器件芯片制造與封裝統(tǒng)一考慮,。MEMS器件與集成電路芯片的主要不同在于：MEMS器件芯片一般都有活動(dòng)部件，比較脆弱,，在封裝前不利于運(yùn)輸,。所以，MEMS器件芯片制造與封裝應(yīng)統(tǒng)一考慮,。封裝技術(shù)是MEMS的一個(gè)重要研究領(lǐng)域,，幾乎每次MEMS國際會(huì)議都對封裝技術(shù)進(jìn)行專題討論。北京新材料半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺(tái)微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種,。

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生,、控制,、接收、變換,、放大信號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,，可用作整流器,、振蕩器、發(fā)光器,、放大器,、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,，有時(shí)也稱為分立器件,。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異,、體積小,、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo),、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到普遍的應(yīng)用,。

傳感MEMS技術(shù)是指用微電子微機(jī)械加工出來的、用敏感元件如電容,、壓電,、壓阻、熱電耦,、諧振,、隧道電流等來感受轉(zhuǎn)換電信號的器件和系統(tǒng),。它包括速度、壓力,、濕度,、加速度、氣體,、磁,、光、聲,、生物,、化學(xué)等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器,、諧振力敏感傳感器,、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等,。傳感器的發(fā)展方向是陣列化,、集成化、智能化,。由于傳感器是人類探索自然界的觸角,，是各種自動(dòng)化裝置的神經(jīng)元，且應(yīng)用領(lǐng)域普遍,，未來將備受世界各國的重視,。光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟。

表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜,，并根據(jù)需要事先在薄膜下面已確定的區(qū)域中生長分離層,。這些都需要制膜工藝來完成。制膜的方法有很多,，如蒸鍍,、濺射等物理的氣相淀積法（PVD）、化學(xué)氣相淀積法（CVD）以及外延和氧化等,。其中CVD是微電子加工技術(shù)中較常用的薄膜制作技術(shù)之一,，它是在受控氣相條件下,，通過氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜,。CVD技術(shù)可以分為常壓（APCVD）、低壓（LPCVD）,、等離子體增強(qiáng)（PECVD）等不同技術(shù),。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅,、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜,，氧化硅,、氮化硅等絕緣體介質(zhì)膜，以及高分子膜和金屬膜等,。由于在表面硅MEMS加工技術(shù)中較常用到的是多晶硅,、氧化硅、氮化硅薄膜,，而它們通常采用LPCVD或PECVD來制作,。濕化學(xué)蝕刻普遍應(yīng)用于制造半導(dǎo)體。北京新材料半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺(tái)

干法刻蝕種類很多,，包括光揮發(fā),、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等,。北京新材料半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺(tái)

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體,、電容、邏輯閘等)的電路,，這是所需技術(shù)較復(fù)雜,、投資較大的工藝。作為一個(gè)例子,，單片機(jī)的加工工序多達(dá)幾百道,，而且需要的加工設(shè)備也比較先進(jìn)，成本較高,。盡管細(xì)節(jié)處理程序會(huì)隨著產(chǎn)品類型和使用技術(shù)的改變而發(fā)生變化,，但是它的基本處理步驟通常是晶圓片首先進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑矗缓蠼?jīng)過氧化和沉淀處理,，較后通過多次的微影,、蝕刻和離子植入等步驟，較終完成了晶圓上電路的加工和制造,。北京新材料半導(dǎo)體器件加工公共服務(wù)平臺(tái)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ),，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主營業(yè)務(wù)涵蓋微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),，堅(jiān)持“質(zhì)量保證,、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針,，贏得廣大客戶的支持和信賴,。一直以來公司堅(jiān)持以客戶為中心,、微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)市場為導(dǎo)向，重信譽(yù),，保質(zhì)量,，想客戶之所想，急用戶之所急,，全力以赴滿足客戶的一切需要,。