磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）基板有低溫性,。相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說,，磁控濺射加熱少。（2）有很高的沉積率,?？蔀R射鎢,、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜（3）環(huán)保工藝,。磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高,，沒有環(huán)境污染,。（4）涂層很好的牢固性，濺射薄膜與基板,，機(jī)械強(qiáng)度得到了改善,，更好的附著力。（5）操作容易控制,。鍍膜過程,，只要保持壓強(qiáng)、電功率濺射條件穩(wěn)定,，就能獲得比較穩(wěn)定的沉積速率,。（6）成膜均勻。濺射的薄膜密度普遍提高,。（7）濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能,、電學(xué)性能及某些特殊性能。（8）濺射可連續(xù)工作,，鍍膜過程容易自動控制,，工業(yè)上流水線作業(yè)?；逵械蜏匦?，相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說，磁控濺射加熱少,。平衡磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常,，利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子,。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極,，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面,，使得靶原子濺出并沉積在基片上,，形成薄膜。濺射方法很多,，主要有二級濺射、三級或四級濺射,、磁控濺射,、對靶濺射、射頻濺射,、偏壓濺射,、非對稱交流射頻濺射,、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。云南共濺射磁控濺射用途在熱陰極的前面增加一個(gè)電極,，構(gòu)成四極濺射裝置,，可使放電趨于穩(wěn)定。

磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣子等.它具有設(shè)備簡單、易于控制,、涂覆面積大,、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).磁控濺射發(fā)展至今，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,，還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。1,、各種功能薄膜：如具有吸收、透射,、反射,、折射、偏振等功能,。例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2,、微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù),，主要用于化學(xué)氣相沉積。3,、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機(jī)殼、鼠標(biāo)等,。4,、一些不適合化學(xué)氣相沉積的材料可以通過磁控濺射沉積，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。5,、機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜、超硬膜,、自潤滑膜等,。這些膜能有效提高表面硬度、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性,，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命,。6、光領(lǐng)域：閉場非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃,，特別是，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽能電池,、微波和射頻屏蔽器件和器件、傳感器等,。

熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應(yīng)用：雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備,。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣,，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜,、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜,。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備,，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜,、合金薄膜,、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜,、介質(zhì)薄膜,、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜,、硬質(zhì)薄膜,、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用,，產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu),，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V,、4-20mA,、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號,，操作簡單方便,。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運(yùn)動路徑，改變電子的運(yùn)動方向,。

雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備,，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜,、合金薄膜,、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜,、介質(zhì)薄膜,、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜,、硬質(zhì)薄膜,、聚四氟乙烯薄膜等。研究所生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用,，產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu),，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V,、4-20mA,、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號,，操作簡單方便,。雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備。它可用于在高真空背景下,，充入高純氬氣,，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質(zhì)膜,、半導(dǎo)體膜,，而且又可以較好地濺射鐵磁材料（Fe、Co,、Ni）,，制備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下,，采用微機(jī)控制樣品轉(zhuǎn)盤和靶擋板,，既可以制備單層膜，又可以制備各種多層膜,，為新材料和薄膜科學(xué)研究領(lǐng)域提供了十分理想的研制手段,。真空室中裝有輝光放電的陰極，靶材就裝在此極表面上,，接受離子轟擊,。湖南射頻磁控濺射特點(diǎn)

濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好,、成膜均勻性好,。平衡磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,，并不直接飛向陽極,，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運(yùn)動,。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量，使之電離而本身變成低能電子,。這些低能電子較終沿磁力線漂移到陰極附近的陽極而被吸收,，避免高能電子對極板的強(qiáng)烈轟擊，消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,，體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn),。由于外加磁場的存在，電子的復(fù)雜運(yùn)動增加了電離率,，實(shí)現(xiàn)了高速濺射,。磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場方向垂直的磁場，一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn),。平衡磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，各種專業(yè)設(shè)備齊全,。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工是廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的主營品牌,，是專業(yè)的面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造***的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持,。公司,，擁有自己**的技術(shù)體系。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,，多年來一直專注于面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性,、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù),，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢,、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供支持。的發(fā)展和創(chuàng)新,，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù),。誠實(shí)、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,，也是我們做人的基本準(zhǔn)則,。公司致力于打造***的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。