反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn),，這是因?yàn)椋?1)反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮,、碳?xì)浠衔锏?純度很高,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過調(diào)節(jié)反應(yīng)磁控濺射中的工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性,。(3)反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板升溫較小，而且制膜過程中通常也不要求對(duì)基板進(jìn)行高溫加熱,，因此對(duì)基板材料的限制較少,。(4)反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。物相沉積技術(shù)工藝過程簡單,，對(duì)環(huán)境改善，無污染,，耗材少,，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng),。深圳雙靶磁控濺射方案

磁控濺射屬于輝光放電范疇,，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中,，氬離子對(duì)陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用,。氬離子將靶材原子濺射下來后，沉積到元件表面形成所需膜層。磁控原理就是采用正交電磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡,，使得電子在正交電磁場(chǎng)中變成了擺線運(yùn)動(dòng),，因而大幅度增加了與氣體分子碰撞的幾率。磁控濺射目前是一種應(yīng)用十分普遍的薄膜沉積技術(shù),濺射技術(shù)上的不斷發(fā)展和對(duì)新功能薄膜的探索研究,使磁控濺射應(yīng)用延伸到許多生產(chǎn)和科研領(lǐng)域,。天津反應(yīng)磁控濺射處理對(duì)于大部分材料,，只要能制成靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射,。

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn)：1,、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,，可獲得的離子流很大,，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,，磁控濺射的產(chǎn)能高,、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2,、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,，通常為600V,，因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3,、濺射能量低,。磁控靶電壓施加較低，磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上,。

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：（1）成膜致密,、均勻,。濺射的薄膜聚集密度普遍提高了。從顯微照片看,，濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密,，而且非常均勻。（2）濺射的薄膜均具有優(yōu)異的性能,。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能,、電學(xué)性能及某些特殊性能。（3）易于組織大批量生產(chǎn),。磁控源可以根據(jù)要求進(jìn)行擴(kuò)大,，因此大面積鍍膜是容易實(shí)現(xiàn)的。再加上濺射可連續(xù)工作，鍍膜過程容易自動(dòng)控制,，因此工業(yè)上流水線作業(yè)完全成為可能,。（4）工藝環(huán)保。傳統(tǒng)的濕法電鍍會(huì)產(chǎn)生廢液,、廢渣,、廢氣，對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的污染,。不產(chǎn)生環(huán)境污染,、生產(chǎn)效率高的磁控濺射鍍膜法則可較好解決這一難題。磁控濺射鍍膜的適用范圍：高級(jí)產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用,。

近年來磁控濺射技能發(fā)展十分迅速,，代表性辦法有平衡平衡磁控濺射、反響磁控濺射,、中頻磁控濺射及高能脈沖磁控濺射等等,。放電發(fā)生的等離子體中，氬氣正離子在電場(chǎng)效果下向陰極移動(dòng),，與靶材外表磕碰,，受磕碰而從靶材外表濺射出的靶材原子稱為濺射原子。磁控濺射不只應(yīng)用于科研及工業(yè)范疇,，已延伸到許多日常生活用品,，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相堆積制膜困難的薄膜制備。磁控濺射技能在制備電子封裝及光學(xué)薄膜方面已有多年,，特別是先進(jìn)的中頻非平衡磁控濺射技能也已在光學(xué)薄膜,、通明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,。海南反應(yīng)磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

濺射可連續(xù)工作,，鍍膜過程容易自動(dòng)控制，工業(yè)上流水線作業(yè),。深圳雙靶磁控濺射方案

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡單、易于控制,、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng),，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過程,。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開靶被濺射出來,。深圳雙靶磁控濺射方案

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號(hào),，交通便利，環(huán)境優(yōu)美,，是一家服務(wù)型企業(yè),。是一家****企業(yè)，隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求,，與多家企業(yè)合作研究,，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn)，追求新型,，在強(qiáng)化內(nèi)部管理,，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí)，良好的質(zhì)量,、合理的價(jià)格,、完善的服務(wù)，在業(yè)界受到寬泛好評(píng),。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則,，致力于提供高質(zhì)量的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所自成立以來,，一直堅(jiān)持走正規(guī)化,、專業(yè)化路線,，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持,。