隨著工業(yè)的需求和表面技術(shù)的發(fā)展,，新型磁控濺射如高速濺射,、自濺射等成為磁控濺射領(lǐng)域新的發(fā)展趨勢。高速濺射能夠得到大約幾個μm/min的高速率沉積,，可以縮短濺射鍍膜的時間,，提高工業(yè)生產(chǎn)的效率；有可能替代對環(huán)境有污染的電鍍工藝,。當濺射率非常高,，以至于在完全沒有惰性氣體的情況下也能維持放電，即是只用離化的被濺射材料的蒸汽來維持放電,，這種磁控濺射被稱為自濺射,。被濺射材料的離子化以及減少甚至取消惰性氣體，會明顯地影響薄膜形成的機制,，加強沉積薄膜過程中合金化和化合物形成中的化學反應,。由此可能制備出新的薄膜材料，發(fā)展新的濺射技術(shù),，例如在深孔底部自濺射沉積薄膜,。磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率。廣州磁控濺射處理

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點：1,、基片溫度低：可利用陽極導走放電時產(chǎn)生的電子，而不必借助基材支架接地來完成,，可以有效減少電子轟擊基材,，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜,。2,、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大,，使靶材有效利用率較低,。因此，想要提高靶材利用率,，需要通過一定手段將磁場分布改變,，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率,。云南多層磁控濺射優(yōu)點磁控濺射技術(shù)得以普遍的應用,是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點所決定的,。

磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應用：1.一些不適合化學氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過磁控濺射沉積,，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜。2.機械工業(yè)：如表面功能膜,、超硬膜,、自潤滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度、復合韌性,、耐磨性和高溫化學穩(wěn)定性,，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場非平衡磁控濺射技術(shù)也已應用于光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃.特別是,，透明導電玻璃普遍應用于平板顯示器件,、太陽能電池、微波和射頻屏蔽器件和器件,、傳感器等,。

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈,，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場,。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar,，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子,，產(chǎn)生輝光放電，Ar+離子經(jīng)電場加速轟擊靶材,，濺射出靶材原子,、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場的作用下,，以擺線方式運動,，被束縛在靶材表面，延長了其在等離子體中的運動軌跡,，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程,，電離出更多的離子，提高了氣體的離化率,，在較低的氣體壓力下也可維持放電,，因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力，也同時提高了濺射的效率和沉積速率,。磁控濺射的優(yōu)點：基板有低溫性,。相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說，磁控濺射加熱少,。

磁控濺射是物相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體,、絕緣體等多材料,，且具有設備簡單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點,。上世紀70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。因為是在低氣壓下進行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程,，和靶原子碰撞,，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級聯(lián)過程,。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來,。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,，點火和濺射很方便。河北射頻磁控濺射流程

磁控濺射設備的主要用途：裝飾領(lǐng)域的應用,，如各種全反射膜及半透明膜等,，如手機外殼，鼠標等,。廣州磁控濺射處理

磁控濺射又稱為高速低溫濺射,。在磁場約束及增強下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場的加速下,，轟擊陰極材料,，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區(qū)以后在基片表面淀積,、遷移較終形成薄膜,。與二極濺射相比較,，磁控濺射的沉積速率高,，基片升溫低，膜層質(zhì)量好,，可重復性好,，便于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。它的發(fā)展引起了薄膜制備工藝的巨大變革,。磁控濺射源在結(jié)構(gòu)上必須具備兩個基本條件:(1)建立與電場垂直的磁場;(2)磁場方向與陰極表面平行,，并組成環(huán)形磁場,。廣州磁控濺射處理

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