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天津高溫磁控濺射

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-01-18

物相沉積的基本特點(diǎn):物相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,,對(duì)環(huán)境改善,,無(wú)污染,耗材少,,成膜均勻致密,,與基體的結(jié)合力強(qiáng),。該技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天、電子,、光學(xué),、機(jī)械、建筑,、輕工,、冶金、材料等領(lǐng)域,,可制備具有耐磨,、耐腐蝕、裝飾,、導(dǎo)電,、絕緣、光導(dǎo),、壓電,、磁性、潤(rùn)滑,、超導(dǎo)等特性的膜層,。隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展,物相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn),,如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù),,大型矩形長(zhǎng)弧靶和濺射靶,非平衡磁控濺射靶,,孿生靶技術(shù),,帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù),條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等,,使用的鍍層成套設(shè)備,,向計(jì)算機(jī)全自動(dòng),大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展,。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁,。天津高溫磁控濺射

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磁控濺射靶材的原理:在被濺射的靶極與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng),在高真空室中充入所需要的惰性氣體,,永久磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場(chǎng),,同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng),。在電場(chǎng)的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,,靶上加有一定的負(fù)高壓,,從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰極附近形成高密度的等離子體,,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜,。磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,,其中直流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單,在濺射金屬時(shí),,其速率也快,。而射頻濺射的使用范圍更為普遍,除可濺射導(dǎo)電材料外,,也可濺射非導(dǎo)電的材料,,同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料,。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,,如今,,常用的有電子回旋共振型微波等離子體濺射,。廣州反應(yīng)磁控濺射流程在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積或金屬有機(jī),。

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真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn):1,、基片溫度低:可利用陽(yáng)極導(dǎo)走放電時(shí)產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來(lái)完成,,可以有效減少電子轟擊基材,,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜,。2,、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕:磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場(chǎng)不均所導(dǎo)致,靶的局部位置刻蝕速率較大,,使靶材有效利用率較低,。因此,想要提高靶材利用率,,需要通過(guò)一定手段將磁場(chǎng)分布改變,,或者利用磁鐵在陰極中移動(dòng),也可提高靶材利用率,。

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn):1,、沉積速率大:由于采用高速磁控電極,,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率,。與其它濺射鍍膜工藝相比,,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大,、于各類(lèi)工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2、功率效率高:磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,,通常為600V,,因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3,、濺射能量低:磁控靶電壓施加較低,,磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上,。磁控濺射是物相沉積的一種,。

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磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):(1)基板有低溫性。相對(duì)于二級(jí)濺射和熱蒸發(fā)來(lái)說(shuō),,磁控濺射加熱少,。(2)有很高的沉積率??蔀R射鎢,、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜,。(3)環(huán)保工藝,。磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高,沒(méi)有環(huán)境污染,。(4)涂層很好的牢固性,,濺射薄膜與基板,機(jī)械強(qiáng)度得到了改善,,更好的附著力,。(5)操作容易控制。鍍膜過(guò)程,,只要保持壓強(qiáng),、電功率濺射條件穩(wěn)定,就能獲得比較穩(wěn)定的沉積速率,。(6)成膜均勻,。濺射的薄膜密度普遍提高。(7)濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能,。(8)濺射可連續(xù)工作,,鍍膜過(guò)程容易自動(dòng)控制,工業(yè)上流水線(xiàn)作業(yè),。真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點(diǎn),。上海高溫磁控濺射用處

在直流二極濺射裝置中增加一個(gè)熱陰極和陽(yáng)極,就構(gòu)成直流三極濺射,。天津高溫磁控濺射

熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應(yīng)用:雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備,。它可用于在高真空背景下,充入高純氬氣,,采用磁控濺射方式制備各種金屬膜,、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜,。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備,,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜,、合金薄膜,、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜,、介質(zhì)薄膜,、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜,、硬質(zhì)薄膜,、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用,,產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu),,新型的傳感制作工藝,通訊方式兼容:0-5V,、4-20mA、RS485通訊模式,,一鍵切換通訊信號(hào),,操作簡(jiǎn)單方便。天津高溫磁控濺射