正膠光刻的基本流程：襯底清洗,、前烘以及預(yù)處理，涂膠,、軟烘,、曝光,、顯影、圖形檢查,，后烘,。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理,、涂膠,、軟烘、曝光,、后烘,、顯影、圖形檢查,。正膠曝光前,，光刻膠不溶于顯影液，曝光后,，曝光區(qū)溶于顯影液,，圖形與掩膜版圖形相同；而負(fù)性光刻膠,，曝光前光刻膠可溶于顯影液，曝光后,，被曝光區(qū)不溶于顯影液,，圖形與掩膜版圖形相同。光刻可能會出現(xiàn)顯影不干凈的異常,，主要原因可能是顯影時間不足,、顯影溶液使用周期過長，溶液溶解膠量較多,、曝光時間不足,，主要的解決方法有增加顯影時間、更換新的顯影液,，增強(qiáng)溶液溶解能力,、增加曝光時間。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,。佛山光刻工藝

顯影液：正性光刻膠的顯影液,。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因?yàn)闀砜蓜与x子污染（MIC,，MovableIonContamination）,，所以在IC制造中一般不用,。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）,。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸,，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒有影響,；在化學(xué)放大光刻膠（CAR,，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC）,，從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中,。佛山光刻工藝接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大,、復(fù)印精度好,、曝光設(shè)備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn),。

不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間,。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用,。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn),，光刻開始采用365nm波長光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長較短的兩個譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此較早被用來當(dāng)作光刻光源。使用波長短,，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法,，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù),。光刻是一個比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的,。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物,。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光,。將光刻版與襯底對準(zhǔn),，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間,，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當(dāng)中,。5.后烘,。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力,。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上,，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù),、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù),。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響。

光聚合型光刻膠采用烯類單體,，在光作用下生成自由基,，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物,；光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),，可以制成正性光刻膠,；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下,，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，而起到抗蝕作用，可以制成負(fù)性光刻膠,。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。每顆芯片誕生之初,，都要經(jīng)過光刻機(jī)的雕刻，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一,。甘肅低線寬光刻

常用的光刻機(jī)是掩模對準(zhǔn)光刻，所以它被稱為掩模對準(zhǔn)系統(tǒng),。佛山光刻工藝

光刻膠是光刻工藝的中心材料：光刻膠又稱光致抗蝕劑,，它是指由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對光敏感的混合液體,。在紫外光,、電子束、離子束,、X 射線等輻射的作用下,，其感光樹脂的溶解度及親和性由于光固化反應(yīng)而發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理,，溶去可溶部分可獲得所需圖像,。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂,、單體及其他助劑等,。光刻膠作為光刻曝光的中心材料，其分辨率是光刻膠實(shí)現(xiàn)器件的關(guān)鍵尺寸（如器件線寬）的衡量值,，光刻膠分辨率越高形成的圖形關(guān)鍵尺寸越小,。對比度是指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度，對比度越高,，形成圖形的側(cè)壁越陡峭,，圖形完成度更好。佛山光刻工藝