真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別：真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù)。濺射是指荷能顆粒轟擊固體表面,，使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象,。大多數(shù)粒子是原子狀態(tài)，通常稱為濺射原子,。用于轟擊目標(biāo)的濺射顆?？梢允请娮印㈦x子或中性顆粒,，因?yàn)殡x子很容易加速電場下所需的動(dòng)能,，所以大多數(shù)都使用離子作為轟擊顆粒。濺射過程是基于光放電,，即濺射離子來自氣體放電,。不同的濺射技術(shù)使用不同的光放電方法。直流二極濺射采用直流光放電,，三極濺射采用熱陰極支撐光放電,，射頻濺射采用射頻光放電，磁控濺射采用環(huán)磁場控制的光放電,。真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點(diǎn),。如任何物質(zhì)都能濺射，特別是高熔點(diǎn)和低蒸汽壓力的元素和化合物,；濺射膜與基板附著力好,；膜密度高；膜厚可控,，重復(fù)性好,。此外，蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合,，即離子鍍,。該方法具有附著力強(qiáng),、沉積率高、膜密度高等優(yōu)點(diǎn),。直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,，其工藝設(shè)備簡單，有較高的濺射速率,。安徽多層磁控濺射

真空磁控濺射的分類：平面磁控濺射：平衡平面濺射是較常用的平面靶磁控濺射,，磁力線有閉合回路且與陰極平行，即在陰極表面構(gòu)成一個(gè)正交的電磁場環(huán)形區(qū)域,。等離子體被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區(qū)域,，通常在基片上加負(fù)偏壓來改善膜與基體的結(jié)合能力；非平衡平面磁控濺射為了將等離子區(qū)域擴(kuò)展,，利用磁體擺放方式的調(diào)整,，可以方便的獲得不同的非平衡磁控源。圓柱磁控濺射沉積技術(shù)：利用圓柱形磁控陰極實(shí)現(xiàn)濺射的技術(shù)磁控源是關(guān)鍵部分,，陰極在中心位置的叫磁控源,；陽極在中心位置的叫反磁控源。廣東脈沖磁控濺射用途不同的金屬,、合金,、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上,。

平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射,，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強(qiáng)度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場,。沉積室充入一定量的工作氣體,，通常為Ar，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子,，產(chǎn)生輝光放電,，Ar+離子經(jīng)電場加速轟擊靶材，濺射出靶材原子,、離子和二次電子等,。電子在相互垂直的電磁場的作用下，以擺線方式運(yùn)動(dòng),，被束縛在靶材表面,，延長了其在等離子體中的運(yùn)動(dòng)軌跡，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程,，電離出更多的離子,，提高了氣體的離化率，在較低的氣體壓力下也可維持放電,，因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力,，也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率,。

真空磁控濺射技術(shù)：真空磁控濺射技術(shù)是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱，使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移,。設(shè)置一個(gè)與靶面電場正交的磁場，濺射時(shí)產(chǎn)生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運(yùn)動(dòng),，增加了電子行程,，提高了氣體的離化率，同時(shí)高能量粒子與氣體碰撞后失去能量,，基體溫度較低,，在不耐溫材料上可以完成鍍膜。這種技術(shù)是玻璃膜技術(shù)中的較較好技術(shù),，是由航天工業(yè),、兵器工業(yè)、和核工業(yè)三個(gè)方面相結(jié)合的較好技術(shù)的民用化,，民用主要是通過這種技術(shù)達(dá)到節(jié)能,、環(huán)保等作用。在直流二極濺射裝置中增加一個(gè)熱陰極和陽極,，就構(gòu)成直流三極濺射,。

磁控濺射的濺射技術(shù)：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),，表面的離子電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法,。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘,，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能,，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。真空室中裝有輝光放電的陰極，靶材就裝在此極表面上,，接受離子轟擊,。廣州磁控濺射處理

磁控濺射沉積速度快、基材溫升低,、對(duì)膜層的損傷小,。安徽多層磁控濺射

高能脈沖磁控濺射技術(shù)介紹及特點(diǎn)：高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù)。力學(xué)所引進(jìn)德國電源,，與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結(jié)合,，形成一種新穎的成膜過程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù)，是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù),，填補(bǔ)了國內(nèi)在該方向的研究空白,。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合，利用其高離化率和淹沒性的特點(diǎn),，通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控,，實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力、高質(zhì)量,、高均勻性薄膜的制備,。同時(shí)結(jié)合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統(tǒng)，開展高離化率等離子體發(fā)生,、等離子體的時(shí)空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應(yīng)用,。其中心技術(shù)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已申請(qǐng)相關(guān)發(fā)明專利兩項(xiàng),。該項(xiàng)技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問題的突破具有重大意義,，有助于提升我國在表面工程加工領(lǐng)域的國際競爭力。如在交通領(lǐng)域,，該技術(shù)用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)三部件,，可降低摩擦25%，減少油耗3%,；機(jī)械加工領(lǐng)域,，沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2～10倍，加工速度提高30-70%,。安徽多層磁控濺射