磁控濺射鍍膜常見(jiàn)領(lǐng)域應(yīng)用：1.一些不適合化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過(guò)磁控濺射沉積，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜,。2.機(jī)械工業(yè)：如表面功能膜,、超硬膜、自潤(rùn)滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度,、復(fù)合韌性,、耐磨性和高溫化學(xué)穩(wěn)定性，從而大幅度提高產(chǎn)品的使用壽命.3.光領(lǐng)域：閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜(如增透膜),、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃,。特別是，透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽(yáng)能電池,、微波和射頻屏蔽器件和器件、傳感器等,。脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積,。安徽脈沖磁控濺射

高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來(lái)產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù)。電源與等離子體淹沒(méi)離子注入沉積方法相結(jié)合,，形成一種新穎的成膜過(guò)程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),，是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該方向的研究空白,。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合，利用其高離化率和淹沒(méi)性的特點(diǎn)，通過(guò)成膜過(guò)程中入射粒子能量與分布的有效操控,，實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力,、高質(zhì)量、高均勻性薄膜的制備,。同時(shí)結(jié)合全新的粒子能量與成膜過(guò)程反饋控制系統(tǒng),，開(kāi)展高離化率等離子體發(fā)生、等離子體的時(shí)空演變及荷能粒子成膜物理過(guò)程控制等方面的研究與工程應(yīng)用,。其中心技術(shù)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),，已申請(qǐng)相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利兩項(xiàng)。該項(xiàng)技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問(wèn)題的突破具有重大意義,，有助于提升我國(guó)在表面工程加工領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,。如在交通領(lǐng)域，該技術(shù)用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)三部件,，可降低摩擦25%,，減少油耗3%；機(jī)械加工領(lǐng)域,，沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2～10倍,，加工速度提高30-70%。江西多層磁控濺射工藝磁控濺射涂層有很好的牢固性,，濺射薄膜與基板,，機(jī)械強(qiáng)度得到了改善，更好的附著力,。

直流濺射的結(jié)構(gòu)原理如下：真空室中裝有輝光放電的陰極,，靶材就裝在此極表面上，接受離子轟擊,；安裝鍍膜基片或工件的樣品臺(tái)以及真空室接地,，作為陽(yáng)極。操作時(shí)將真空室抽至高真空后,，通入氬氣,，并使其真空度維持在1.0Pa左右，再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上,，即可產(chǎn)生輝光放電。此時(shí),，在靶材附近形成高密度的等離子體區(qū)，即負(fù)輝區(qū)該區(qū)中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發(fā)生濺射效應(yīng),。由靶材表面濺射出來(lái)的原子沉積在基片或工件上,，形成鍍層。

特殊濺射沉積技術(shù)：反應(yīng)濺射參數(shù)與生成物性能的關(guān)系：在純Ar狀態(tài)下濺射沉積的時(shí)純鋁膜,，當(dāng)?shù)獨(dú)獗灰胝婵帐液?，靶面發(fā)生變化,，隨氮?dú)獾牧坎粩嗌仙畛湟蜃酉陆?，膜?nèi)AlN含量上升,，膜的介質(zhì)性提高，方塊電阻增加,，當(dāng)?shù)獨(dú)膺_(dá)到某一值時(shí),，沉積膜就是純的AlN。同時(shí)電流不變的條件下,，電壓下降,，沉積速率降低。根據(jù)膜的導(dǎo)電性的高低可定性的將反應(yīng)濺射過(guò)程分為兩種模式--金屬模式和化合物模式,，介乎兩者之間是過(guò)渡區(qū),。一般認(rèn)為膜的方塊電阻在1000之下是金屬模式，大于幾M為化合物模式,。由于反應(yīng)氣體量的增加,，靶面上會(huì)形成一層化合物，薄膜成分變化的同時(shí)沉積速率下降當(dāng)氣體量按原來(lái)增加量減少時(shí),，放電曲線(xiàn)及沉積速率都出現(xiàn)滯后現(xiàn)象,。磁控濺射適用于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。

磁控濺射概述：濺射是一種基于等離子體的沉積過(guò)程,，其中高能離子向目標(biāo)加速。離子撞擊目標(biāo),，原子從表面噴射,。這些原子向基板移動(dòng)并結(jié)合到正在生長(zhǎng)的薄膜中。磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù),，該等離子體產(chǎn)生并限制在包含要沉積的材料的空間內(nèi),。靶材表面被等離子體中的高能離子侵蝕，釋放出的原子穿過(guò)真空環(huán)境并沉積到基板上形成薄膜,。在典型的濺射沉積工藝中,，腔室首先被抽真空至高真空，以較小化所有背景氣體和潛在污染物的分壓,。達(dá)到基本壓力后,，包含等離子體的濺射氣體流入腔室，并使用壓力控制系統(tǒng)調(diào)節(jié)總壓力-通常在毫托范圍內(nèi),。濺射是指荷能顆粒轟擊固體表面,，使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。江西多層磁控濺射工藝

物相沉積技術(shù)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境改善,，無(wú)污染,，耗材少，成膜均勻致密,，與基體的結(jié)合力強(qiáng),。安徽脈沖磁控濺射

磁控濺射技術(shù)原理如下：濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材表面進(jìn)行轟擊,，把靶材表面的分子,、原子、離子及電子等濺射出來(lái),，被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能,，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層,。濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電,，不能在低氣壓下進(jìn)行；在直流二極濺射裝置中增加一個(gè)熱陰極和陽(yáng)極,，就構(gòu)成直流三極濺射,。增加的熱陰極和陽(yáng)極產(chǎn)生的熱電子增強(qiáng)了濺射氣體原子的電離，這樣使濺射即使在低氣壓下也能進(jìn)行,；另外,，還可降低濺射電壓，使濺射在低氣壓,，低電壓狀態(tài)下進(jìn)行,；同時(shí)放電電流也增大，并可單獨(dú)控制,，不受電壓影響,。在熱陰極的前面增加一個(gè)電極，構(gòu)成四極濺射裝置,，可使放電趨于穩(wěn)定,。但是這些裝置難以獲得濃度較高的等離子體區(qū)，沉積速度較低,，因而未獲得普遍的工業(yè)應(yīng)用,。安徽脈沖磁控濺射