光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù),。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠,、軟烘,、對準曝光、后烘,、顯影,、硬烘、刻蝕,、檢測等工序,。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒,、有機物,、工藝殘余、可動離子）,；b,、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）,。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上。重慶光刻外協(xié)

對于國產(chǎn)光刻膠來說,，今年的九月是極為特殊的一個月份,。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部,、科技部,、財政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導(dǎo)意見》，《意見》提出,，加快新材料產(chǎn)業(yè)強弱項,，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片,、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,。而在《意見》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了,。除了幾家企業(yè)加大投資,、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機的方式,，開展光刻膠的研發(fā),。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,，這已不是什么鮮為人知的信息了,。重慶光刻外協(xié)接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開,。

光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性,，如果質(zhì)量稍微出點問題，損失將會是巨大的,。去年2月,，某半導(dǎo)體代工企業(yè)因為光刻膠的原因?qū)е戮A污染，報廢十萬片晶圓,，直接導(dǎo)致5.5億美元的賬面損失,。除了以上原因外，另一個重要原因是，經(jīng)過幾十年的發(fā)展,，光刻膠已經(jīng)是一個相當成熟且固化的產(chǎn)業(yè),。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴，2013年之后,，相關(guān)專利的申請已經(jīng)開始銳減,。市場較小，技術(shù)壁壘又高,，這意味著對于企業(yè)來說,，發(fā)展光刻膠性價比不高，即便研發(fā)成功一款光刻膠,，也要面臨較長的認證周期,，需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系。

動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求,。相對靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動態(tài)噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進行較初的擴散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,，較終以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級,、亞微米級,、深亞微米級進入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢,，對包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù),。

每顆芯片誕生之初,，都要經(jīng)過光刻機的雕刻，精度要達到頭發(fā)絲的千分之一,，如今,，全世界能夠生產(chǎn)光刻機的國家只有四個，中國成為了其中的一員,，實現(xiàn)了從無到有的突破,。光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng),、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩模對準光刻,，所以它被稱為掩模對準系統(tǒng),。它指的是通過將硅晶片表面上的膠整平，然后將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠，將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時“復(fù)制”到硅晶片上的過程,。它不是簡單的激光器,，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復(fù)雜的紫外光源。光刻機是芯片制造的中心設(shè)備之一,，根據(jù)用途可分為幾類：光刻機生產(chǎn)芯片,；有光刻機包裝；還有一款投影光刻機用在LED制造領(lǐng)域,。光刻膠是一種有機化合物,，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化,。重慶光刻外協(xié)

在完成圖形的曝光后,，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解,。重慶光刻外協(xié)

敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值,。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,，不被刻蝕或抗擊離子轟擊,，從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標準進行分類：按照化學反應(yīng)和顯影的原理,，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液,，形成的圖形與掩膜版相反,，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,，形成的圖形與掩膜版相同,，稱為正性光刻膠。根據(jù)感光樹脂的化學結(jié)構(gòu)來分類,，光刻膠可以分為光聚合型,、光分解型和光交聯(lián)型三種類別。重慶光刻外協(xié)