磁控濺射技術(shù)原理如下：電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片,。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,，濺射出大量的靶材原子,，呈中性的靶原子沉積在基片上成膜,。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場(chǎng)洛倫茲力的影響,，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng),，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng)。在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材,，較終沉積在基片上,。磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向,，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,。電子的歸宿不只只是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿,。但一般基片與真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì),。磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：可以沉積合金和化合物的薄膜，同時(shí)保持與原始材料相似的組成,。廣州脈沖磁控濺射鍍膜

磁控濺射方法可用于制備多種材料,，如金屬、半導(dǎo)體,、絕緣子等,。它具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制,、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。磁控濺射發(fā)展至今,，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外，還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1.各種功能薄膜：如具有吸收,、透射,、反射、折射,、偏振等功能.例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,；2.微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù)，主要用于化學(xué)氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機(jī)殼,、鼠標(biāo)等。廣東金屬磁控濺射技術(shù)高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生濺射的一種磁控濺射技術(shù),。

直流濺射的結(jié)構(gòu)原理如下：真空室中裝有輝光放電的陰極,，靶材就裝在此極表面上，接受離子轟擊,；安裝鍍膜基片或工件的樣品臺(tái)以及真空室接地,，作為陽(yáng)極。操作時(shí)將真空室抽至高真空后,，通入氬氣,，并使其真空度維持在1.0Pa左右，再加上2-3kV的直流電壓于兩電極之上,，即可產(chǎn)生輝光放電,。此時(shí)，在靶材附近形成高密度的等離子體區(qū),，即負(fù)輝區(qū)該區(qū)中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發(fā)生濺射效應(yīng),。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上，形成鍍層,。

高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù),。電源與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結(jié)合，形成一種新穎的成膜過程與質(zhì)量調(diào)控技術(shù),，是可應(yīng)用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術(shù),，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該方向的研究空白。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術(shù)復(fù)合,，利用其高離化率和淹沒性的特點(diǎn),，通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控，實(shí)現(xiàn)高膜基結(jié)合力,、高質(zhì)量,、高均勻性薄膜的制備。同時(shí)結(jié)合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統(tǒng),，開展高離化率等離子體發(fā)生,、等離子體的時(shí)空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應(yīng)用。其中心技術(shù)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),，已申請(qǐng)相關(guān)發(fā)明專利兩項(xiàng),。該項(xiàng)技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)PVD沉積關(guān)鍵瓶頸問題的突破具有重大意義，有助于提升我國(guó)在表面工程加工領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力,。如在交通領(lǐng)域,，該技術(shù)用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)三部件,，可降低摩擦25%，減少油耗3%,；機(jī)械加工領(lǐng)域,，沉積先進(jìn)鍍層可使刀具壽命提高2～10倍，加工速度提高30-70%,。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。

磁控濺射又稱為高速低溫濺射,，在磁場(chǎng)約束及增強(qiáng)下的等離子體中的工作氣體離子,，在靶陰極電場(chǎng)的加速下，轟擊陰極材料,，使材料表面的原子或分子飛離靶面,，穿越等離子體區(qū)以后在基片表面淀積、遷移較終形成薄膜,。與二極濺射相比較,，磁控濺射的沉積速率高，基片升溫低,，膜層質(zhì)量好,，可重復(fù)性好，便于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),。它的發(fā)展引起了薄膜制備工藝的巨大變革,。磁控濺射源在結(jié)構(gòu)上必須具備兩個(gè)基本條件：(1)建立與電場(chǎng)垂直的磁場(chǎng)；(2)磁場(chǎng)方向與陰極表面平行,，并組成環(huán)形磁場(chǎng),。磁控濺射技術(shù)具有哪些優(yōu)點(diǎn)？廣州脈沖磁控濺射鍍膜

磁控濺射靶的非平衡磁場(chǎng)不只有通過改變內(nèi)外磁體的大小和強(qiáng)度的永磁體獲得,，也有由兩組電磁線圈產(chǎn)生,。廣州脈沖磁控濺射鍍膜

磁控濺射方法可用于制備多種材料，如金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣子等。它具有設(shè)備簡(jiǎn)單,、易于控制、涂覆面積大,、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。磁控濺射發(fā)展至今，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,，還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1,、各種功能薄膜,。如具有吸收、透射,、反射,、折射、偏振等功能,。例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2,、微電子,。可作為非熱鍍膜技術(shù),，主要用于化學(xué)氣相沉積,。3、裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機(jī)殼,、鼠標(biāo)等。廣州脈沖磁控濺射鍍膜