磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場,，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問題，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有以下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì),；濺射鍍膜速度快，膜層致密,，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn),。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。山西直流磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射技術(shù)有：直流濺射法,。直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),，表面的離子電荷無法中和,，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止,。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來,，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。上海單靶磁控濺射流程濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好,、成膜均勻性好,。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便,。這是因?yàn)榘?，等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體,，則回路斷了,。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容,，這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容,。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小,，同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜,，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題,，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射,。就是用金屬靶，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕?。?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化,，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。

磁控濺射靶材的制備技術(shù)方法按生產(chǎn)工藝可分為熔融鑄造法和粉末冶金法兩大類,，在靶材的制備過程中,，除嚴(yán)格控制材料的純度、致密度,、晶粒度以及結(jié)晶取向之外,，對熱處理工藝條件,、后續(xù)成型加工過程亦需要加以嚴(yán)格的控制，以保證靶材的質(zhì)量,。磁控濺射靶材的制備方法：1,、熔融鑄造法。與粉末冶金法相比,，熔融鑄造法生產(chǎn)的靶材產(chǎn)品雜質(zhì)含量低,，致密度高。2,、粉末冶金法,。通常，熔融鑄造法無法實(shí)現(xiàn)難熔金屬濺射靶材的制備,，對于熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上的金屬,，采用普通的熔融鑄造法，一般也難以獲得成分均勻的合金靶材,；對于無機(jī)非金屬靶材,、復(fù)合靶材，熔融鑄造法更是無能為力,，而粉末冶金法是解決制備上述靶材技術(shù)難題的較佳途徑,。同時(shí)，粉末冶金工藝還具有容易獲得均勻細(xì)晶結(jié)構(gòu),、節(jié)約原材料,、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。磁控陰極按照磁場位形分布不同,，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極,。

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷,，同時(shí)可以提高濺射沉積速率,，降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn)，是濺射絕緣材料沉積的優(yōu)先選擇工藝過程,。在一個(gè)周期內(nèi)存在正電壓和負(fù)電壓兩個(gè)階段,，在負(fù)電壓段，電源工作于靶材的濺射,，正電壓段,，引入電子中和靶面累積的正電荷，并使表面清潔,，裸露出金屬表面,。加在靶材上的脈沖電壓與一般磁控濺射相同！為400~500V,，電源頻率在10~350KHz,，在保證穩(wěn)定放電的前提下,，應(yīng)盡可能取較低的頻率。由于等離子體中的電子相對離子具有更高的能動(dòng)性,，因此正電壓值只需要是負(fù)電壓的10%~20%,，就可以有效中和靶表面累積的正電荷。占空比的選擇在保證濺射時(shí)靶表面累積的電荷能在正電壓階段被完全中和的前提下,，盡可能提高占空,，以實(shí)現(xiàn)電源的更大效率。有些鍍膜要用到射頻電源,，如功率大,，需做好屏蔽處理。湖南射頻磁控濺射流程

直流磁控濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,。山西直流磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射方法可用于制備多種材料,，如金屬、半導(dǎo)體,、絕緣子等,。它具有設(shè)備簡單、易于控制,、涂覆面積大,、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。磁控濺射發(fā)展至今,，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外，還實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1.各種功能薄膜：如具有吸收,、透射,、反射、折射,、偏振等功能.例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率；2.微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù),，主要用于化學(xué)氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜,；比如手機(jī)殼、鼠標(biāo)等,。山西直流磁控濺射優(yōu)點(diǎn)