通過調(diào)整光刻膠的配方,，滿足差異化的應(yīng)用需求,，是光刻膠制造商較中心的技術(shù),。質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性,、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對感光靈敏度,、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅*要配臵齊全的測試儀器,，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的復(fù)雜,、精密的配方產(chǎn)品,，由成膜劑、光敏劑,、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料,，通過不同的排列組合，經(jīng)過復(fù)雜,、精密的加工工藝而制成,。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用,。對于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度,，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,，主要可能的原因是光刻膠有顆粒,、襯底未清洗干凈。半導(dǎo)體光刻加工

堅膜,，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力,；進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠與硅片表面之間的黏附性；進(jìn)一步減少駐波效應(yīng)（StandingWaveEffect）,。常見問題：a,、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強(qiáng)度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）,；降低小孔填充能力（GapfillCapabilityfortheneedlehole）,；降低與基底的黏附能力。b,、烘烤過度（Overbake）,。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，分辨率變差,。另外還可以用深紫外線（DUV,，DeepUltra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼,，增加光刻膠的熱穩(wěn)定性,。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。佛山光刻外協(xié)光刻技術(shù)是借用照相技術(shù),、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù),。

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實現(xiàn)功能的中心,，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是半導(dǎo)體制造商,，不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求,，同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行10-50道光刻過程,，由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求,。針對以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn),。

根據(jù)曝光方式的不同,，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種,。接觸式光刻機(jī),，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單,，分辨率高，沒有衍射效應(yīng),，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸,，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命,，成品率低,。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙,，因為光刻版與襯底沒有接觸,，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少,，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng),。投影式曝光,，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準(zhǔn)后曝光,，每次曝光一小部分,，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準(zhǔn)曝光,，這種曝光方式分辨率比較高,，但不產(chǎn)生缺陷。光刻機(jī)又被稱為：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī),、曝光系統(tǒng),、光刻系統(tǒng)等。

對于國產(chǎn)光刻膠來說,，今年的九月是極為特殊的一個月份,。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部,、科技部,、財政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》，《意見》提出,，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項,，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片,、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,。而在《意見》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了,。除了幾家企業(yè)加大投資,、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機(jī)的方式,，開展光刻膠的研發(fā),。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持,，這已不是什么鮮為人知的信息了,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。廣州數(shù)字光刻

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,。半導(dǎo)體光刻加工

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝,。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù),。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干,、涂底、旋涂光刻膠,、軟烘,、對準(zhǔn)曝光、后烘,、顯影,、硬烘、刻蝕,、檢測等工序,。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮?dú)獗Ｗo(hù)）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒,、有機(jī)物、工藝殘余,、可動離子）,；b、除去水蒸氣,，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增?qiáng)表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。半導(dǎo)體光刻加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所目前已成為一家集產(chǎn)品研發(fā),、生產(chǎn),、銷售相結(jié)合的服務(wù)型企業(yè)。公司成立于2016-04-07,，自成立以來一直秉承自我研發(fā)與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的科技發(fā)展戰(zhàn)略,。本公司主要從事微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域內(nèi)的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng),、成果豐碩的技術(shù)隊伍,。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長期合作的關(guān)系,。芯辰實驗室,微納加工集中了一批經(jīng)驗豐富的技術(shù)及管理專業(yè)人才，能為客戶提供良好的售前,、售中及售后服務(wù),，并能根據(jù)用戶需求，定制產(chǎn)品和配套整體解決方案,。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品售前服務(wù)，為客戶提供周到的售后服務(wù),。價格低廉優(yōu)惠,，服務(wù)周到，歡迎您的來電,！