光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,，有2-3代差距,，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè),、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大,。同時,，國內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù),，力爭早日追上國際先進(jìn)水平,，打進(jìn)國內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域,，盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進(jìn)水平仍然有差距,，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體,。四川半導(dǎo)體光刻

光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,，并且耗費(fèi)時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,，市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的中心材料,。按顯示效果分類,；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。負(fù)性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反,；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同,。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,；光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。佛山光刻價格接觸式光刻曝光主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸,。

光聚合型，可形成正性光刻膠,，是通過采用了烯類單體,，在光作用下生成自由基從而進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物的過程,；光分解型光刻膠可以制成正性膠,，通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經(jīng)過光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)的過程。光交聯(lián)型,，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開,，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用,，是一種典型的負(fù)性光刻膠,。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠,、液晶顯示(LCD）用光刻膠,、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低,，而半導(dǎo)體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進(jìn)水平,。

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式,，接近式以及投影式三種,。接觸式光刻機(jī)，曝光時,，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單，分辨率高,，沒有衍射效應(yīng),，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷,，降低光刻版使用壽命,，成品率低,。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙,，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒有接觸,，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少,，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng),。投影式曝光,，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準(zhǔn)后曝光,，每次曝光一小部分,，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續(xù)對準(zhǔn)曝光,，這種曝光方式分辨率比較高,，但不產(chǎn)生缺陷。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光,。

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場87%的份額,，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司,。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地,。目前中國大陸對于電子材料,，特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢,。光刻技術(shù)是指在光照作用下,，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。廣東接觸式光刻

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,，產(chǎn)生邊緣效應(yīng),，不能得到很好的圖形，而且容易發(fā)生剝離而影響其它部分的圖形,。四川半導(dǎo)體光刻

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,，不能得到很好的圖形，而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形,。所以需要去除,。方法：a、化學(xué)的方法（ChemicalEBR）,。軟烘后,，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反面邊緣處,，并小心控制不要到達(dá)光刻膠有效區(qū)域,；b、光學(xué)方法（OpticalEBR）,。即硅片邊緣曝光（WEE,，WaferEdgeExposure）。在完成圖形的曝光后,，用激光曝光硅片邊緣,，然后在顯影或特殊溶劑中溶解；對準(zhǔn)方法：a,、預(yù)對準(zhǔn),，通過硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動對準(zhǔn)；b,、通過對準(zhǔn)標(biāo)志（AlignMark）,，位于切割槽（ScribeLine）上。四川半導(dǎo)體光刻

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是以提供微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)為主的****,，公司成立于2016-04-07,，旗下芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工，已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平,。廣東省半導(dǎo)體所致力于構(gòu)建電子元器件自主創(chuàng)新的競爭力,，產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可,。