光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基,，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,，較后生成聚合物,；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下,，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，而起到抗蝕作用，可以制成負(fù)性光刻膠,。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。接近式光刻機(jī),，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，避免晶圓片與光刻版直接接觸,，缺陷少,。佛山接觸式光刻

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快,，厚度越?。挥绊懝饪棠z均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度,，加速越快越均勻,；與旋轉(zhuǎn)加速的時間點有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(guān)（因為不同級別的曝光波長對應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚,，約0.7～3μm,；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm,。軟烘方法：真空熱板,，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）,；增強(qiáng)黏附性,；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力；防止光刻膠玷污設(shè)備,；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后,，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。遼寧光刻外協(xié)光刻其實是由多步工序所組成的,。清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物,。旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實現(xiàn)功能的中心，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ),。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是半導(dǎo)體制造商,，不同的客戶會有不同的應(yīng)用需求，同一個客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行10-50道光刻過程,，由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求,。針對以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn),。

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底,。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘,；優(yōu)點：涂底均勻,、避免顆粒污染；旋轉(zhuǎn)涂底,。缺點：顆粒污染,、涂底不均勻、HMDS用量大,。目的：使表面具有疏水性,，增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a,、靜態(tài)涂膠（Static）,。硅片靜止時，滴膠,、加速旋轉(zhuǎn),、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）,；b,、動態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotationperminute）,、滴膠,、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠,、揮發(fā)溶劑,。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低,，光刻膠的厚度越?。还饪虈娮靽婌F模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù),。

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,，可分為PCB光刻膠,、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體,、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，自2011年至今,，光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長率達(dá)到11%,，高于全球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,，全球占比約10%,，發(fā)展空間巨大。目前,，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。每顆芯片誕生之初,，都要經(jīng)過光刻機(jī)的雕刻，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一,。河南光刻加工平臺

光刻可能會出現(xiàn)顯影不干凈的異常,，主要原因可能是顯影時間不足、顯影溶液使用周期過長,。佛山接觸式光刻

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù),、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等,。同時，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求,。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合,，在氮氣氣體保護(hù)下充分?jǐn)嚢瑁蛊涑浞只旌闲纬删嘁后w，經(jīng)過多次過濾,，并通過中間過程控制和檢驗,，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，較后做產(chǎn)品檢驗,，合格后在氮氣氣體保護(hù)下包裝,、打標(biāo)、入庫,。佛山接觸式光刻

廣東省半導(dǎo)體所,，2016-04-07正式啟動，成立了微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大市場布局,，應(yīng)對行業(yè)變化,，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破,，進(jìn)而提升芯辰實驗室,微納加工的市場競爭力,，把握市場機(jī)遇，推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,。是具有一定實力的電子元器件企業(yè)之一,，主要提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。同時,，企業(yè)針對用戶,，在微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大領(lǐng)域,，提供更多,、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國更多單位和企業(yè)提供更具針對性的電子元器件服務(wù),。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所業(yè)務(wù)范圍涉及面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器件、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域,，致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心,。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校,、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā),、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供支持,。等多個環(huán)節(jié)，在國內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢,。在微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù),，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域完成了眾多可靠項目,。