真空磁控濺射為什么必須在真空環(huán)境？濺射過程是通過電能,，使氣體的離子轟擊靶材,，就像磚頭砸土墻,，土墻的部分原子濺射出來,，落在所要鍍膜的基體上的過程。如果氣體太多,，氣體離子在運(yùn)行到靶材的過程中,，很容易跟路程中的其他氣體離子或分子碰撞，這樣就不能加速,，也濺射不出靶材原子來,。所以需要真空狀態(tài)。而如果氣體太少,，氣體分子不能成為離子,，沒有很多可以轟擊靶材，所以也不行,。只能選擇中間值,，有足夠的氣體離子可以轟擊靶材，而在轟擊過程中,，不至于因?yàn)闅怏w太多而相互碰撞致使失去太多的能量的氣體量,，所以必須在較為恒定的真空狀態(tài)下。此狀態(tài)根據(jù)氣體分子直徑和分子自由程計(jì)算,。一般在0.2-0.5Pa之間,。磁控濺射靶材的制備技術(shù)方法按生產(chǎn)工藝可分為熔融鑄造法和粉末冶金法兩大類。廣東專業(yè)磁控濺射分類

磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù),，該等離子氣體被生成并限制在一個包含要沉積的材料的空間內(nèi),，濺射靶材的表面被等離子體中的高能離子侵蝕，釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積在基板上以形成薄膜,。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1,、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積，而不論其熔化溫度如何,；2,、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置；3,、可以沉積合金和化合物的薄膜,，同時保持與原始材料相似的組成。磁控濺射鍍膜的適用范圍：1,、建材及民用工業(yè)中,；2,、在鋁合金制品裝飾中的應(yīng)用；3,、高級產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用,；4、在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用,；5,、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。深圳脈沖磁控濺射過程離子束加工是在真空條件下,，由電子槍產(chǎn)生電子束,，引入電離室中，使低壓惰性氣體離子化,。

磁控濺射是以磁場束縛和延長電子的運(yùn)動路徑,，改變電子的運(yùn)動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量,。電子的歸宿不只是基片,，真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢,。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是只在靶面圓周運(yùn)動,。至于靶面圓周型的濺射輪廓,，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀分布。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關(guān)系,。在EXBshift機(jī)理下工作的除磁控濺射外,，還有多弧鍍靶源，離子源,，等離子源等都在此原理下工作,。所不同的是電場方向，電壓電流大小等因素,。

射頻磁控濺射是一種制備薄膜的工藝,，特別是在使用非導(dǎo)電材料時，薄膜是在放置在真空室中的基板上生長的,。強(qiáng)大的磁鐵用于電離目標(biāo)材料,，并促使其以薄膜的形式沉淀在基板上。使用鉆頭的人射頻磁控濺射過程的第一步是將基片材料置于真空中真空室,。然后空氣被移除,，目標(biāo)材料，即構(gòu)成薄膜的材料,，以氣體的形式釋放到腔室中,。這種材料的粒子通過使用強(qiáng)大的磁鐵被電離?，F(xiàn)在以等離子體的形式，帶負(fù)電荷的靶材料排列在基底上形成薄膜,。薄膜的厚度范圍從幾個原子或分子到幾百個,。磁鐵有助于加速薄膜的生長，因?yàn)閷υ舆M(jìn)行磁化有助于增加目標(biāo)材料電離的百分比,。電離原子更容易與薄膜工藝中涉及的其他粒子相互作用,，因此更有可能在基底上沉積。這提高了薄膜工藝的效率,，使它們能夠在較低的壓力下更快地生長,。磁控濺射靶材根據(jù)材料的成分不同，可分為金屬靶材,、合金靶材,、無機(jī)非金屬靶材等。

磁控濺射技術(shù)原理如下：濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下,，對陰極靶材表面進(jìn)行轟擊,，把靶材表面的分子、原子,、離子及電子等濺射出來,，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方向射向基體表面,，在基體表面形成鍍層,。濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡單,，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電，不能在低氣壓下進(jìn)行,；在直流二極濺射裝置中增加一個熱陰極和陽極,，就構(gòu)成直流三極濺射。增加的熱陰極和陽極產(chǎn)生的熱電子增強(qiáng)了濺射氣體原子的電離,，這樣使濺射即使在低氣壓下也能進(jìn)行,；另外，還可降低濺射電壓,，使濺射在低氣壓,，低電壓狀態(tài)下進(jìn)行；同時放電電流也增大,，并可單獨(dú)控制,，不受電壓影響。在熱陰極的前面增加一個電極,，構(gòu)成四極濺射裝置,，可使放電趨于穩(wěn)定,。但是這些裝置難以獲得濃度較高的等離子體區(qū)，沉積速度較低,，因而未獲得普遍的工業(yè)應(yīng)用,。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下：基板低溫性。廣東專業(yè)磁控濺射分類

磁控濺射是一種基于等離子體的沉積過程,，其中高能離子向目標(biāo)加速,。離子撞擊目標(biāo)，原子從表面噴射,。廣東專業(yè)磁控濺射分類

磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,，在陰極和陽極之間施加幾百K直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電,，使氬氣發(fā)生電離,。磁控濺射法優(yōu)勢特點(diǎn)：較常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面,，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜,。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜,。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng),、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn),。廣東專業(yè)磁控濺射分類