半導(dǎo)體在集成電路,、消費(fèi)電子,、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電,、照明應(yīng)用,、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。半導(dǎo)體材料光生伏特的效應(yīng)是太陽(yáng)能電池運(yùn)行的基本原理?，F(xiàn)階段半導(dǎo)體材料的光伏應(yīng)用已經(jīng)成為一大熱門(mén) ,，是目前世界上增長(zhǎng)很快,、發(fā)展很好的清潔能源市場(chǎng)。太陽(yáng)能電池的主要制作材料是半導(dǎo)體材料,，判斷太陽(yáng)能電池的優(yōu)劣主要的標(biāo)準(zhǔn)是光電轉(zhuǎn)化率 ,，光電轉(zhuǎn)化率越高 ，說(shuō)明太陽(yáng)能電池的工作效率越高,。根據(jù)應(yīng)用的半導(dǎo)體材料的不同 ,，太陽(yáng)能電池分為晶體硅太陽(yáng)能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池,。半導(dǎo)體器件加工中的工藝步驟需要嚴(yán)格的質(zhì)量控制,。云南半導(dǎo)體器件加工好處

半導(dǎo)體分類(lèi)及性能：非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體,，屬于半導(dǎo)電性的一類(lèi)材料,。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序,、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu),。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕?，形成非晶硅,。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶態(tài)半導(dǎo)體的性能控制難,，隨著技術(shù)的發(fā)明,，非晶態(tài)半導(dǎo)體開(kāi)始使用。這一制作工序簡(jiǎn)單,，主要用于工程類(lèi),，在光吸收方面有很好的效果，主要運(yùn)用到太陽(yáng)能電池和液晶顯示屏中,。北京半導(dǎo)體器件加工實(shí)驗(yàn)室刻蝕是半導(dǎo)體制造工藝以及微納制造工藝中的重要步驟,。

半導(dǎo)體（semiconductor）指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路,、消費(fèi)電子,、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電,、照明,、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件,。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品,，如計(jì)算機(jī),、移動(dòng)電話(huà)或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的中心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián),。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺,、砷化鎵等,，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中很具有影響力的一種。

半導(dǎo)體器件有許多封裝型式,，從DIP,、SOP、QFP,、PGA,、BGA到CSP再到SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn),，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場(chǎng)需求而研制的,。總體說(shuō)來(lái),，它大概有三次重大的革新：初次是在上世紀(jì)80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝,，極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；第二次是在上世紀(jì)90年代球型矩正封裝的出現(xiàn),，它不但滿(mǎn)足了市場(chǎng)高引腳的需求,，而且極大地改善了半導(dǎo)體器件的性能；晶片級(jí)封裝,、系統(tǒng)封裝、芯片級(jí)封裝是第三次革新的產(chǎn)物,，其目的就是將封裝減到很小,。每一種封裝都有其獨(dú)特的地方，即其優(yōu)點(diǎn)和不足之處,，而所用的封裝材料,，封裝設(shè)備，封裝技術(shù)根據(jù)其需要而有所不同,。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體封裝形式不斷發(fā)展的動(dòng)力是其價(jià)格和性能,。半導(dǎo)體器件加工需要考慮器件的集成度和功能的多樣性。

半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn),，除了改善性能如速度,、能量的消耗與可靠性外，另一重點(diǎn)就是降低其制作成本,。降低成本的方式,，除了改良制作方法，包括制作流程與采用的設(shè)備外,，如果能在硅芯片的單位面積內(nèi)產(chǎn)出更多的 IC,，成本也會(huì)下降,。所以半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)非常重要的發(fā)展趨勢(shì)，就是把晶體管微小化,。當(dāng)然組件的微小化會(huì)伴隨著性能的改變,，但很幸運(yùn)的，這種演進(jìn)會(huì)使 IC 大部分的特性變好,，只有少數(shù)變差,，而這些就需要利用其它技術(shù)來(lái)彌補(bǔ)了。半導(dǎo)體制程有點(diǎn)像是蓋房子,，分成很多層,，由下而上逐層依藍(lán)圖布局迭積而成，每一層各有不同的材料與功能,。光刻的優(yōu)點(diǎn)是它可以精確地控制形成圖形的形狀,、大小，此外它可以同時(shí)在整個(gè)芯片表面產(chǎn)生外形輪廓,。江蘇半導(dǎo)體器件加工步驟

刻蝕先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。云南半導(dǎo)體器件加工好處

刻蝕在半導(dǎo)體器件加工中的作用主要有以下幾個(gè)方面：1. 圖案轉(zhuǎn)移：刻蝕可以將光刻膠或光刻層上的圖案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料表面,。光刻膠是一種光敏材料,，通過(guò)光刻曝光和顯影等工藝，可以形成所需的圖案,?？涛g可以將光刻膠上的圖案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體材料表面，形成電路結(jié)構(gòu),、納米結(jié)構(gòu)和微細(xì)結(jié)構(gòu)等,。2. 電路形成：刻蝕可以將半導(dǎo)體材料表面的雜質(zhì)、氧化物等去除,，形成電路結(jié)構(gòu),。在半導(dǎo)體器件加工中，刻蝕常用于形成晶體管的柵極,、源極和漏極等結(jié)構(gòu),，以及形成電容器的電極等。云南半導(dǎo)體器件加工好處