真空鍍膜：電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,，比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大,、蒸發(fā)速度快,，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,，厚度可以較準(zhǔn)確地控制,，可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè),，通常只會(huì)沉積在目標(biāo)表面,。這是電子束蒸發(fā)和濺射的區(qū)別,。常見(jiàn)于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域。利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶,，使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰,。較終沉積到目標(biāo)上。真空鍍膜：一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù),。中山光學(xué)真空鍍膜

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜,、還可以沉積化合物,、陶瓷、半導(dǎo)體,、聚合物膜等,。物理的氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用，但30年迅速發(fā)展成為一門(mén)極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),，并向著環(huán)保型,、清潔型趨勢(shì)發(fā)展。在鐘表行業(yè),，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來(lái)越為普遍的應(yīng)用,。物理的氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，升華或被濺射,，也就是通過(guò)鍍料的氣化源,。鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞后,，產(chǎn)生多種反應(yīng)。鍍料原子,、分子或離子在基體上沉積,。鎮(zhèn)江PVD真空鍍膜真空鍍膜是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法,，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝,。

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱,，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜,，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn),，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料,。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外,，這樣不但簡(jiǎn)化了真空室內(nèi)部的空間布置,，減少了加熱源的放氣,，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對(duì)被鍍材料的污染，達(dá)到了膜層純潔的目的,。此外,，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā),。這對(duì)于保證膜的成分,，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點(diǎn)是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高,，所以它的應(yīng)用范圍有一定的限制,，導(dǎo)致其在工業(yè)中的普遍應(yīng)用有一定的限制。

磁控濺射的優(yōu)勢(shì)在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來(lái)選擇使用不同的靶電源進(jìn)行濺射,，靶電源分為射頻靶(RF),、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse),。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物,、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射，也可以進(jìn)行常規(guī)金屬材料濺射,。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,，而直流脈沖靶介于二者之間，可濺射硅,、鍺等半導(dǎo)體材料,。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量,，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā),。但磁控濺射可用于多種材料，使用范圍廣,，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,，且高熔點(diǎn)金屬,，如W,，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,，陶瓷材料的鍍膜,，電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞以及高壓電場(chǎng)后,，高速?zèng)_向工件。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：射頻離子鍍(RFIP),。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化,；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體,、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化,。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，不純氣體少,，成膜好,，適合鍍化合物膜，但匹配較困難,?？蓱?yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件,、裝飾品,、汽車(chē)零件等。此外,，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍,，感應(yīng)離子加熱鍍，集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法,。真空鍍膜機(jī)鍍鋁層導(dǎo)電性能好,，能消除靜電效應(yīng)。無(wú)錫光學(xué)真空鍍膜

真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):其封口性能好,，尤其包裝粉末狀產(chǎn)品時(shí),，不會(huì)污染封口部分，保證了包裝的密封性能,。中山光學(xué)真空鍍膜

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition,，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單,、易于控制,、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率,。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜,。中山光學(xué)真空鍍膜