真空鍍膜的方法很多,，計(jì)有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,，抽空后將膜料加熱到高溫,，使蒸氣達(dá)到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,，凝結(jié)而成薄膜,。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面,，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約1,。33～13,。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源,，便激發(fā)輝光放電,，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子,，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜,。化學(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,，獲得沉積薄膜的過程,。離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn),。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合,。茂名真空鍍膜儀

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善,，無污染,，耗材少，成膜均勻致密,，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天,、電子,、光學(xué)、機(jī)械,、建筑,、輕工、冶金,、材料等領(lǐng)域,，可制備具有耐磨、耐腐蝕,、裝飾,、導(dǎo)電、絕緣,、光導(dǎo),、壓電、磁性,、潤滑,、超導(dǎo)等特性的膜層,。隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展，物理的氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn),，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù),，大型矩形長弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶,，孿生靶技術(shù),，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù)，條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等,，使用的鍍層成套設(shè)備,，向計(jì)算機(jī)全自動(dòng)，大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展,。ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)真空鍍膜機(jī),、真空鍍膜設(shè)備爐門采用懸垂吊掛式平移結(jié)構(gòu)，便于爐外料車與爐內(nèi)輥軸的對接傳遞,，減少占地空間,。

電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高,、 束流密度大,、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高,、質(zhì)量好,，通過晶振控制，厚度可以較準(zhǔn)確地控制,，可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜,。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面，臺(tái)階覆蓋性比較差,，如果需要追求臺(tái)階覆蓋性和薄膜粘附力,，建議使用磁控濺射。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試,，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化,。因此，在鍍膜過程中,，想要控制蒸發(fā)速率,，必須精確控制蒸發(fā)源的溫度，加熱時(shí)應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過大的溫度梯度,。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右,。

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(shù)(包括本地真空,、濺射功率,、濺射氣壓等）,以期用濺射法終后制備出高質(zhì)量的器件級(jí)硅薄膜提供科學(xué)數(shù)據(jù)。磁控濺射法是一種簡單,、低溫,、快速的成膜技術(shù),能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進(jìn)行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節(jié)能、高效,、環(huán)保,。可通過對氫含量和材料結(jié)構(gòu)的控制實(shí)現(xiàn)硅薄膜帶隙和性能的調(diào)節(jié),。與其它技術(shù)相比,磁控濺射法優(yōu)勢是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益,，實(shí)驗(yàn)簡單方便?；瘜W(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種,。

基片溫度對薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響，基片溫度高,，使吸附原子的動(dòng)能增大,，跨越表面勢壘的幾率增多，容易結(jié)晶化,，并使薄膜缺陷減少,，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少，基片溫度低,，則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜,。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度,。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱,，采用鎢，鉬,，鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí),，飛抵基片的氣化原子或分子,，一部分被反射，一部分被蒸發(fā)離開,，剩下的要么結(jié)合在一起,，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大,；或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散,，逐漸生長，覆蓋整個(gè)基片,，形成鍍膜,。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜機(jī)新型表面功能覆層技術(shù),，其特點(diǎn)是保持基體材料固有的特征，又賦予表面化所要求的各種性能.廣州真空鍍膜工藝

真空鍍膜機(jī)大功率脈沖磁控濺射技術(shù)的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍,，在1000~3000W/cm2范圍,。茂名真空鍍膜儀

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：鍍層質(zhì)量好：離子鍍的鍍層組織致密、無小孔,、無氣泡、厚度均勻,。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù),，不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù),，有高硬度,、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),，膜層的壽命更長,；同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過程簡化：現(xiàn)有鍍膜工藝,，多數(shù)均要求事先對工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗,，既復(fù)雜又費(fèi)事。然而,，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,，并且這一作用還一直延續(xù)于整個(gè)鍍膜過程。清洗效果極好,，能使鍍層直接貼近基體,，有效地增強(qiáng)了附著力，簡化了大量的鍍前清洗工作,。茂名真空鍍膜儀