常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD）,，PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜,、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）,、PECVD（等離子體增強(qiáng)沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（材料進(jìn)行有機(jī)清洗和無(wú)機(jī)清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過(guò)渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)的一種,。吉林真空鍍膜價(jià)格

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,，電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜,。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜,。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來(lái)的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多,。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率,。常州真空鍍膜機(jī)真空鍍膜機(jī)光學(xué)鍍膜主要有兩種：一種是抗反射膜、另一種是加硬膜,。

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電,，不能在低氣壓(<0。1Pa)下進(jìn)行,；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用,。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問(wèn)題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì),；濺射鍍膜速度快,，膜層致密，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,，具有代表性的方法有射頻濺射,、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射,、脈沖磁控濺射,、高速濺射等。

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition,，PVD）的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制,、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),，而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率,。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜,。真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴(yán)格的監(jiān)控之下,直接噴射到襯底表面,。MBE的突出優(yōu)點(diǎn)在于能生長(zhǎng)極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結(jié)構(gòu)器件,從而為制作集成光學(xué)和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段,。利用反應(yīng)分子束外延法制備TiO2薄膜時(shí),不需要考慮中間的化學(xué)反應(yīng),又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊?并且利用開(kāi)閉擋板(快門)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)生長(zhǎng)和中斷的瞬時(shí)控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調(diào)整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優(yōu)點(diǎn),。真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻,。陽(yáng)江新型真空鍍膜

從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。吉林真空鍍膜價(jià)格

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料,、絕緣層,、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅,、氮化硅,、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體,。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能,，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下,，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好,、臺(tái)階覆蓋性好,。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅,、非晶硅,、氮化硅等。吉林真空鍍膜價(jià)格