真空鍍膜：在真空中制備膜層,，包括鍍制晶態(tài)的金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜,。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓,、低壓或等離子體等真空手段,，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜,。真空鍍膜有三種形式,，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍,。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,，四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代,，在電子,、宇航、包裝,、裝潢,、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料）,，屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧?，故也稱真空金屬化,。只要鍍上一層真空鍍膜，就能使材料具有許多新的,、良好的物理和化學(xué)性能,。深圳真空鍍膜價(jià)格

PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣,、氨氣等其他,。這些氣體通過氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體，在射頻源的左右下,，氣體被電離成活性基團(tuán),。活性基團(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),，在低溫（300攝氏度左右）生長(zhǎng)氧化硅或者氮化硅,。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,，可有效的進(jìn)行絕緣。PECVD生長(zhǎng)氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過程,，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例,、RF功率、反應(yīng)室壓力,、基片生長(zhǎng)溫度等,。在一定范圍內(nèi)，提高硅烷與笑氣的比例,，可提供氧化硅的沉積速率,。在RF功率較低的時(shí)候，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,，當(dāng)RF增加到一定值后,，沉積速率隨RF增大而減少，然后趨于飽和,。在一定的氣體總量條件下,，沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃）,，沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降,，但不是太明顯。湖州真空鍍膜真空鍍膜機(jī)真空壓鑄鈦鑄件的方法與標(biāo)準(zhǔn)的壓鑄工藝一樣,。

真空鍍膜的方法：離子鍍：總體來說比較常用的有:直流放電二極型,、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍(ARE),、空心陰極放電離子鍍(HCD),、射頻放電離子鍍(RFIP)、增強(qiáng)的ARE型,、低壓等離子型離子鍍(LP-PD),、電場(chǎng)蒸發(fā)、感應(yīng)加熱離子鍍,、多弧離子鍍,、電弧放電型高真空離子鍍、離化團(tuán)束鍍等,。由于離子鍍膜層具有非常優(yōu)良的性能,所以越來越受到人們的重視,特別是離子鍍TiN,、TiC在工具、模具的超硬鍍膜,、裝飾鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越普遍,并將占據(jù)越來越重要的地位。在鐘表行業(yè),因?yàn)殁仧o毒無污染,與人體皮膚接觸,不會(huì)引起過敏等不良反應(yīng),在表帶上沉積一層鈦膜還能起到表面裝飾的作用,可以做成金黃,、黑色,、灰色,、紅棕色、橙色等很多種顏色,增加美觀效果,。

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子,，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn),，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍,，無論是金屬、金屬合金,、金屬間化合物,、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜,，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜,。蒸發(fā)或?yàn)R射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中,，對(duì)其膜厚可進(jìn)行比較精確的測(cè)量和控制,，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù),，從而防止蒸鍍材料的氧化,，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等,，這對(duì)于濕式鍍膜而言是無法實(shí)現(xiàn)的,。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化,，從而地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量,，而且在生產(chǎn)過程中對(duì)環(huán)境無污染。由于在真空條件下制膜,，所以薄膜的純度高,、密實(shí)性好、表面光亮不需要再加工,，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好,。真空鍍膜的操作規(guī)程：在用電子頭鍍膜時(shí)，應(yīng)在鐘罩周圍上鋁板,。

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射,，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2,，氬氣作為工作氣體,，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)能得到SiNx薄膜,。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜,，通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整,，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒,。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射,；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射,；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前,，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式,。真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。大連鈦金真空鍍膜

真空鍍膜鍍料的氣化：即通入交流電后,，使鍍料蒸發(fā)氣化,。深圳真空鍍膜價(jià)格

磁控濺射的優(yōu)勢(shì)在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來選擇使用不同的靶電源進(jìn)行濺射，靶電源分為射頻靶(RF),、直流靶(DC),、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物,、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,，也可以進(jìn)行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,，而直流脈沖靶介于二者之間,，可濺射硅、鍺等半導(dǎo)體材料,。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),，但薄膜質(zhì)量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā),。但磁控濺射可用于多種材料,，使用范圍廣，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,，且高熔點(diǎn)金屬,，如W，Mo等的蒸鍍較為困難,。所以磁控濺射常用于新型氧化物,，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料,。深圳真空鍍膜價(jià)格