利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點：1.均勻性和重復(fù)性好,，可大面積成膜,，適合批量生長2.可在低溫下成膜,，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,，設(shè)備簡單,，易于產(chǎn)業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量,，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密,，反之,，腐蝕速率越快,，薄膜質(zhì)量越差,。另外,，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過快,，會導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快,，說明薄膜質(zhì)量比較差。真空鍍膜在所有被鍍材料中,，以塑料較為常見,。UV真空鍍膜工藝

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù)。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片,利用加熱,、等離子體,、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學反應(yīng)(熱分解或化學合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學氣相沉積(PCVD),。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜,。宜賓新型真空鍍膜從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較,，具有下列優(yōu)點：薄膜和基體選材普遍,，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜,。在真空條件下制備薄膜,，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染,，因此可獲得致密性好,、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強度好,，薄膜牢固,。干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無環(huán)境污染,。真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍,、真空濺射鍍、真空離子鍍,、真空束流沉積,、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外,，其他幾種方法均具有以下的共同特點：各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境,，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞,、阻擋和干擾,，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響,。

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點處的鍍料,，蒸發(fā)離化后的金屬離子,，在陰極表面也會產(chǎn)生新的弧斑，許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失,，所以又稱多弧蒸發(fā),。較早設(shè)計的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源，是在陰極背后配置磁場,，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應(yīng)效應(yīng),，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜,，離化率較高,，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產(chǎn)生多弧斑,，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程,。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞以及高壓電場后,，高速沖向工件,。

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā),，使大量的原子,、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面（或升華），并較終沉積在基體表面上的技術(shù),。在整個過程中,，氣態(tài)的原子、分子在真空中會經(jīng)過很少的碰撞而直接遷移到基體,，并沉積在基體表面形成薄膜,。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱,，電子束,、激光束、離子束高能轟擊鍍料等,。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù),。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源,。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源,，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱、輻射加熱,、激光加熱蒸發(fā)源等,。真空鍍膜是一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。廈門真空鍍膜儀

真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好,。UV真空鍍膜工藝

原子層沉積(atomiclayer deposition,，ALD)技術(shù)，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,，ALE）技術(shù),，是一種基于有序,、表面自飽和反應(yīng)的化學氣相薄膜沉積技術(shù),。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯(lián)科學家Aleskovskii和Koltsov報道,，隨后,，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善,。然而,，受限于其復(fù)雜的表面化學過程等因素，原子層沉積技術(shù)在開始并沒有取得較大發(fā)展,，直到上世紀九十年代,，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起，對各種元器件尺寸,，集成度等方面的要求越來越高,，原子層沉積技術(shù)才迎來發(fā)展的黃金階段。進入21世紀,，隨著適應(yīng)各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功,，無論在基礎(chǔ)研究還是實際應(yīng)用方面，原子層沉積技術(shù)都受到人們越來越多的關(guān)注,。UV真空鍍膜工藝