利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜,，適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,，對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,，設(shè)備簡(jiǎn)單,，易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,，簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密,，反之,，腐蝕速率越快，薄膜質(zhì)量越差,。另外,，沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過(guò)快,，會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,，說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。南充真空鍍膜加工

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP),。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化,；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化,。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升大,、繞射性好、附著性好,，膜結(jié)構(gòu)及形貌差,，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤(rùn)滑機(jī)械制品,。多陰極型,。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子,、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，有時(shí)需要對(duì)基板加熱,；可用于鍍精密機(jī)械制品,、電子器件裝飾品。南充UV真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)有真空束流沉積鍍膜,。

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子,，或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程,，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù),，物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類(lèi)：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜,。物理的氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜,、電弧等離子體鍍,、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī),、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī),。

PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣,、氨氣等其他,。這些氣體通過(guò)氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體，在射頻源的左右下,，氣體被電離成活性基團(tuán),?；钚曰鶊F(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在低溫（300攝氏度左右）生長(zhǎng)氧化硅或者氮化硅,。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,，可有效的進(jìn)行絕緣。PECVD生長(zhǎng)氧化硅薄膜是一個(gè)比較復(fù)雜的過(guò)程,，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例,、RF功率,、反應(yīng)室壓力,、基片生長(zhǎng)溫度等。在一定范圍內(nèi),，提高硅烷與笑氣的比例,，可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時(shí)候,，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,，當(dāng)RF增加到一定值后，沉積速率隨RF增大而減少,，然后趨于飽和,。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大,。PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃）,，沉積速率會(huì)隨著基片溫度的升高而略微下降，但不是太明顯,。在真空中制備膜層,，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜,。

真空鍍膜的物理過(guò)程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子,、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng),。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積,。熱蒸發(fā)主要是三個(gè)過(guò)程：1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過(guò)程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運(yùn)輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過(guò)程,，即是蒸汽凝聚,、成核、核生長(zhǎng),、形成連續(xù)薄膜的過(guò)程,。真空濺鍍可根據(jù)基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆,。南充UV真空鍍膜

真空鍍膜在鋼材、鎳,、鈾,、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾,、金剛石等材料的耐腐蝕性能,。南充真空鍍膜加工

真空鍍膜：離子鍍膜法：離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的,，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離,，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨?。根?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類(lèi)型的離子鍍膜方式,。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱,、等離子電子束加熱,、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等,。氣體分子或原子的離化和啟動(dòng)方式有：輝光放電型,、電子束型、熱電子型,、等離子電子束型,、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等,。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合,。目前比較常用的組合方式有：南充真空鍍膜加工