LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,，在微納加工當中用于結構層材料、絕緣層,、掩模材料,，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅,、磷硅玻璃,。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應的能量源是熱能,，通常其溫度在500℃-1000℃之間,，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應的主要參數(shù)是溫度,、壓力和氣體流量,，它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下，反應氣體的平均自由程及擴散系數(shù)變大,，膜厚均勻性好,、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅,、單晶硅,、非晶硅、氮化硅等,。真空鍍膜技術有真空濺射鍍膜,。廣州真空鍍膜工藝流程

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(shù)(包括本地真空、濺射功率,、濺射氣壓等）,以期用濺射法終后制備出高質(zhì)量的器件級硅薄膜提供科學數(shù)據(jù),。磁控濺射法是一種簡單、低溫,、快速的成膜技術,能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節(jié)能,、高效,、環(huán)保,?？赏ㄟ^對氫含量和材料結構的控制實現(xiàn)硅薄膜帶隙和性能的調(diào)節(jié)。與其它技術相比,磁控濺射法優(yōu)勢是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟效益,，實驗簡單方便,。沈陽真空鍍膜儀真空濺鍍的鍍層可通過調(diào)節(jié)電流大小和時間來壘加，但不能太厚,，一般厚度在0.2~2um,。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來,進而在基片上沉積的技術。在濺射鍍鈦的實驗中,電子,、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子,。與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實現(xiàn)高速沉積,、附著力較強,、制取高熔點物質(zhì)的薄膜,在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術,因此應用十分普遍,。

ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度,。而且，可以相對容易地形成不同材料的多層結構,。由于其高反應活性和精度,，它在精細和高效的半導體領域（如微電子和納米技術）中非常有用。由于ALD通常在相對較低的溫度下操作,，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時是有用的,，并且在使用易于熱解的前體時也是有利的。由于它具有出色的投射能力,，因此可以輕松地應用于結構復雜的粉末和形狀,。 眾所周知，ALD工藝非常耗時,。例如,，氧化鋁的膜形成為每個循環(huán)0.11nm，并且每小時的標準膜形成量為100至300nm,。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術的基材,，因此不需要厚膜形成。通常,，當需要大約μm的膜厚度時,，就膜形成時間而言，ALD工藝是困難的,。作為物質(zhì)限制,，前體必須是揮發(fā)性的。另外,，成膜靶必須能夠承受前體分子的化學吸附所必需的熱應力,。真空蒸鍍是真空鍍膜技術的一種,。

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面,，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射,。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進行輝光放電,，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+),。氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材,，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面,。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜,。濺射鍍膜中的入射離子,，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍,。真空鍍膜機新型表面功能覆層技術,，其特點是保持基體材料固有的特征，又賦予表面化所要求的各種性能.蕪湖納米涂層真空鍍膜

在真空鍍膜機運轉(zhuǎn)正常情況下,，開動真空鍍膜機時,，必須先開水管，工作中應隨時注意水壓,。廣州真空鍍膜工藝流程

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜,、硬質(zhì)薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜,、超導薄膜,、磁性薄膜、光學薄膜,，以及各種具有特殊功能的薄膜,，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業(yè)領域應用非常廣,?！盀R射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體,，從表面射出,，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場,，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用,，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率,，提高了氣體的離化率,，提高了沉積速率,。廣州真空鍍膜工藝流程