真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運(yùn)動特征的不同,在靶表面感應(yīng)出負(fù)的直流脈沖,從而產(chǎn)生濺射的射頻濺射,。這種技術(shù)Z早由1965年IBM公司研制,對絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內(nèi)提高濺射沉積速率,不是利用導(dǎo)入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對靶產(chǎn)生濺射實(shí)現(xiàn)鍍膜的自濺射鍍膜技術(shù),。在高真空下,利用離子源發(fā)出的離子束對靶濺射,實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的離子束濺射,。其中由二極濺射發(fā)展而來的磁控濺射技術(shù),解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多,、等離子體的離化率低和基片的熱效應(yīng)等明顯問題。磁控濺射是現(xiàn)在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術(shù),實(shí)現(xiàn)了在低溫,、低損傷的條件下高速沉積,。自2001年以來,廣大的科技研究者致力于這方面的研究,成果顯著。真空鍍膜在真空條件下制備薄膜,，環(huán)境清潔,，薄膜不易受到污染。ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP),。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化,；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化,。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升大,、繞射性好、附著性好,，膜結(jié)構(gòu)及形貌差,，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤滑機(jī)械制品,。多陰極型,。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子,、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，有時需要對基板加熱；可用于鍍精密機(jī)械制品,、電子器件裝飾品,。紹興UV真空鍍膜真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為較具發(fā)展前途的重要技術(shù)之一，并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場前景,。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）,、鉬（Mo）等高熔點(diǎn)材料，跟常規(guī)金屬蒸鍍,，蒸鍍方式需有所蓋上,。根據(jù)之前的鍍膜經(jīng)驗，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進(jìn),。高熔點(diǎn)的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中,，因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快，材料難以達(dá)到其蒸發(fā)的溫度,。經(jīng)過實(shí)驗的驗證,，蒸發(fā)高熔點(diǎn)的材料可以采用材料薄片來蒸鍍，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,，材料只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱,，減緩散熱速率，有利于達(dá)到蒸發(fā)的熔點(diǎn),。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜,。

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD）,，PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等,。另一種是化學(xué)法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）,、PECVD（等離子體增強(qiáng)沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（材料進(jìn)行有機(jī)清洗和無機(jī)清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可采用屏蔽式進(jìn)行部分鍍鋁,，以獲得任意圖案或透明窗口,，能看到內(nèi)裝物。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高,，而且成膜過程通常也并不要求對基板進(jìn)行很高溫度的加熱,，因此對基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn),。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前,，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題,，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低,，膜的缺陷密度較高,，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,，稱為蒸發(fā)鍍膜,。MEMS真空鍍膜加工廠

各種真空鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境。ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)

PECVD一般用到的氣體有硅烷,、笑氣,、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進(jìn)入在反應(yīng)腔體,，在射頻源的左右下,，氣體被電離成活性基團(tuán)?；钚曰鶊F(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),，在低溫（300攝氏度左右）生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導(dǎo)體器件的絕緣層,，可有效的進(jìn)行絕緣,。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復(fù)雜的過程，薄膜的沉積速率主要受到反應(yīng)氣體比例,、RF功率,、反應(yīng)室壓力、基片生長溫度等,。在一定范圍內(nèi),，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率,。在RF功率較低的時候,，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當(dāng)RF增加到一定值后,，沉積速率隨RF增大而減少,，然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,，沉積速率隨腔體壓力增大而增大,。PECVD在低溫范圍內(nèi)（200-350℃），沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降,，但不是太明顯,。ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)