磁控濺射的優(yōu)勢(shì)在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來(lái)選擇使用不同的靶電源進(jìn)行濺射,，靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC),、直流脈沖靶(DC Pluse),。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射，也可以進(jìn)行常規(guī)金屬材料濺射,。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,，而直流脈沖靶介于二者之間，可濺射硅,、鍺等半導(dǎo)體材料,。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量,，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā),。但磁控濺射可用于多種材料，使用范圍廣,，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,，且高熔點(diǎn)金屬，如W,，Mo等的蒸鍍較為困難,。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜,，電子束則用于對(duì)薄膜質(zhì)量較高的金屬材料,。在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射,，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法,，稱為真空鍍膜。韶關(guān)小家電真空鍍膜

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點(diǎn)：鍍層質(zhì)量好：離子鍍的鍍層組織致密,、無(wú)小孔,、無(wú)氣泡、厚度均勻,。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù),，不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù),，有高硬度,、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),，膜層的壽命更長(zhǎng),；同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過(guò)程簡(jiǎn)化：現(xiàn)有鍍膜工藝,，多數(shù)均要求事先對(duì)工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗,，既復(fù)雜又費(fèi)事。然而,，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,，并且這一作用還一直延續(xù)于整個(gè)鍍膜過(guò)程,。清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體,，有效地增強(qiáng)了附著力,，簡(jiǎn)化了大量的鍍前清洗工作。三明納米涂層真空鍍膜真空鍍膜是在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來(lái)打到被鍍物體的表面上,。

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,，比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大,、蒸發(fā)速度快,，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,，厚度可以較準(zhǔn)確地控制,，可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè),，通常只會(huì)沉積在目標(biāo)表面,。這是電子束蒸發(fā)和濺射的區(qū)別,。常見(jiàn)于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域,。利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶，使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰,。較終沉積到目標(biāo)上,。

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0,。1Pa)下進(jìn)行,；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問(wèn)題,，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì),；濺射鍍膜速度快，膜層致密,，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn),。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射,、非平衡磁控濺射,、脈沖磁控濺射、高速濺射等,。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面,。

真空鍍膜：技術(shù)原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜,。我們通常所說(shuō)的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍,；通常說(shuō)的NCVM鍍膜,，就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下,，使金屬,、金屬合金等蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上,，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱,，電子束轟擊鍍料，使蒸發(fā)成氣相,，然后沉積在基體表面,，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù),。真空鍍膜鍍的薄膜純度高,。西安真空鍍膜設(shè)備

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù),。韶關(guān)小家電真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù),。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法,，將鍍料氣化成原子,、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法,。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過(guò)程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā),，或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好,、薄膜均勻致密,、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍,、濺射范圍寬,、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),。韶關(guān)小家電真空鍍膜