刻蝕工藝去除晶圓表面的特定區(qū)域,,是以沉積其它材料。“干法”(等離子)刻蝕用于形成電路,,而“濕法”刻蝕(使用化學(xué)?。┲饕糜谇鍧嵕A,。干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中較常用的工藝之一。開始刻蝕前,,晶圓上會(huì)涂上一層光刻膠或硬掩膜(通常是氧化物或氮化物),,然后在光刻時(shí)將電路圖形曝光在晶圓上??涛g只去除曝光圖形上的材料,。在芯片工藝中,圖形化和刻蝕過程會(huì)重復(fù)進(jìn)行多次,貴州深硅刻蝕材料刻蝕價(jià)錢,,貴州深硅刻蝕材料刻蝕價(jià)錢,。等離子刻蝕是將電磁能量(通常為射頻(RF))施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分(如氟或氯)的氣體中實(shí)現(xiàn)。等離子會(huì)釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料,,并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),,與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會(huì)以垂直方向射入晶圓表面,。這樣會(huì)形成近乎垂直的刻蝕形貌,,這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計(jì)中制作細(xì)微特征所必需的。材料刻蝕是一種重要的微納加工技術(shù),,可以制造出各種微小結(jié)構(gòu),。南昌刻蝕工藝
ArF浸沒式兩次曝光技術(shù)已被業(yè)界認(rèn)為是32nm節(jié)點(diǎn)較具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù);在更低的22nm節(jié)點(diǎn)甚至16nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)中,,浸沒式光刻技術(shù)一般也具有相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì),。浸沒式光刻技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)主要有:如何解決曝光中產(chǎn)生的氣泡和污染等缺陷的問題;研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1.8的光刻膠的問題,;研發(fā)折射率較大的光學(xué)鏡頭材料和浸沒液體材料,;以及有效數(shù)值孔徑NA值的拓展等問題。針對(duì)這些難題挑戰(zhàn),,國內(nèi)外學(xué)者以及公司已經(jīng)做了相關(guān)研究并提出相應(yīng)的對(duì)策,。浸沒式光刻機(jī)將朝著更高數(shù)值孔徑發(fā)展,以滿足更小光刻線寬的要求,。重慶半導(dǎo)體材料刻蝕外協(xié)等離子體刻蝕是一種高效的刻蝕方法,,可以在較短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度的加工。
光刻膠又稱光致抗蝕劑,,是一種對(duì)光敏感的混合液體,。其組成部分包括以下幾種:光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑),、光刻膠樹脂,、單體、溶劑和其他助劑,。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng),,經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上,。依據(jù)使用場(chǎng)景,,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板,。據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì),,2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元,,自2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)未來3年仍將以年均5%的速度增長(zhǎng),,至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過100億美元,。可以把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn),。
溫度越高刻蝕效率越高,,但是溫度過高工藝方面波動(dòng)較大,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點(diǎn)檢確認(rèn),??涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢,流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻,。過刻量即測(cè)蝕量,,適當(dāng)增加測(cè)試量可有效控制刻蝕中的點(diǎn)狀不良作業(yè)數(shù)量管控:每天對(duì)生產(chǎn)數(shù)量及時(shí)記錄,達(dá)到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時(shí)更換,。作業(yè)時(shí)間管控:由于藥液的揮發(fā),,所以如果在規(guī)定更換時(shí)間未達(dá)到相應(yīng)的生產(chǎn)片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控:作業(yè)時(shí)需先進(jìn)行首片確認(rèn),,且在作業(yè)過程中每批次進(jìn)行抽檢(時(shí)間間隔約25min),。1、大面積刻蝕不干凈:刻蝕液濃度下降,、刻蝕溫度變化,。2、刻蝕不均勻:噴淋流量異常,、藥液未及時(shí)沖洗干凈等,。3、過刻蝕:刻蝕速度異常,、刻蝕溫度異常等,。在硅材料刻蝕當(dāng)中,硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕,,硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕,。材料刻蝕技術(shù)可以用于制造微型光學(xué)器件,如微型透鏡和微型光柵等,。
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動(dòng)就比較大,,只要通過設(shè)備自帶溫控器和點(diǎn)檢確認(rèn),。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關(guān)噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢,,流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻,。過刻量即測(cè)蝕量,適當(dāng)增加測(cè)試量可有效控制刻蝕中的點(diǎn)狀不良作業(yè)數(shù)量管控:每天對(duì)生產(chǎn)數(shù)量及時(shí)記錄,達(dá)到規(guī)定作業(yè)片數(shù)及時(shí)更換,。作業(yè)時(shí)間管控:由于藥液的揮發(fā),,所以如果在規(guī)定更換時(shí)間未達(dá)到相應(yīng)的生產(chǎn)片數(shù)藥液也需更換。首片和抽檢管控:作業(yè)時(shí)需先進(jìn)行首片確認(rèn),,且在作業(yè)過程中每批次進(jìn)行抽檢(時(shí)間間隔約25min),。1、大面積刻蝕不干凈:刻蝕液濃度下降,、刻蝕溫度變化,。2、刻蝕不均勻:噴淋流量異常,、藥液未及時(shí)沖洗干凈等,。3、過刻蝕:刻蝕速度異常,、刻蝕溫度異常等,。在硅材料刻蝕當(dāng)中,硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕,,硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕,。物理刻蝕是利用物理過程來剝離材料表面的方法,適用于硬質(zhì)材料,。鄭州刻蝕
刻蝕技術(shù)可以用于制造納米結(jié)構(gòu),,如納米線和納米孔等。南昌刻蝕工藝
介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,,例如二氧化硅,。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是:各向異性好,選擇比高,,可控性,、靈活性、重復(fù)性好,,細(xì)線條操作安全,,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,無化學(xué)廢液,,處理過程未引入污染,,潔凈度高。缺點(diǎn)是:成本高,,設(shè)備復(fù)雜,。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如屏蔽式,下游式,,桶式),,純物理過程(如離子銑),,物理化學(xué)過程,常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,,離子束輔助自由基刻蝕ICP等,。干法刻蝕方式比較多,一般有:濺射與離子束銑蝕,,等離子刻蝕(PlasmaEtching),,高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,,反應(yīng)離子刻蝕(RIE),。另外,化學(xué)機(jī)械拋光CMP,,剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù),。刻蝕基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形,。南昌刻蝕工藝