Mems加工工藝和微納加工大體上都是一樣的，只是表述不一樣而已,，MEMS即是微機(jī)械電子系統(tǒng),，大多時候等同于微納系統(tǒng)是根據(jù)產(chǎn)品需要，在各類襯底（硅襯底,，玻璃襯底,，石英襯底，藍(lán)寶石襯底等等）制作微米級微型結(jié)構(gòu)的加工工藝,。微納傳感器加工工藝制作的微型結(jié)構(gòu)主要是作為各類傳感器和執(zhí)行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動結(jié)構(gòu)（齒輪,，懸臂梁,，空腔，橋結(jié)構(gòu)等等）以及各種功能材料,，本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)（溫度,，壓力，氣體,，流量等等）變化通過微型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為各種電信號（電壓,，電阻，電流等等）的差異,，以實(shí)現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器,。濕法刻蝕較普遍,、也是成本較低的刻蝕方法,。深圳MEMS微納加工代工

通過光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件,。刻蝕技術(shù),，是按照掩模圖形對襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù),，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕較普遍,、也是成本較低的刻蝕方法,，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之,，對刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無明顯差異,。而干刻蝕采用的氣體,，或轟擊質(zhì)量頗巨,，或化學(xué)活性極高，均能達(dá)成刻蝕的目的,。其較重要的優(yōu)點(diǎn)是能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn),。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用,。甘肅鍍膜微納加工技術(shù)微納制造技術(shù)是微傳感器,、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ),。

在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜,、化合物等,。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度,，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱,；磁控濺射在高真空,，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材,，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底,；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好,，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點(diǎn)金屬薄膜或者厚膜；化學(xué)氣相沉積（CVD）是典型的化學(xué)方法而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是物理與化學(xué)相結(jié)合的混合方法,，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅,、氧化硅等介質(zhì)膜,。

微流控芯片是在普通毛細(xì)管電泳的基本原理和技術(shù)的基礎(chǔ)上，利用微加工技術(shù)在硅,、石英,、玻璃或高分子聚合物基質(zhì)材料上加工出各種微細(xì)結(jié)構(gòu),，如管道,、反應(yīng)池,、電極之類的功能單元,，完成生物和化學(xué)等領(lǐng)域中所涉及的樣品制備,、生化反應(yīng),、處理（混合、過濾,、稀釋）,、分離檢測等一系列任務(wù),，具有快速,、高效、低耗,、分析過程自動化和應(yīng)用范圍廣等特點(diǎn)的微型分析實(shí)驗(yàn)裝置。目前已成為微全分析系統(tǒng)（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實(shí)驗(yàn)室（labonachip）的發(fā)展重點(diǎn)和前沿領(lǐng)域,。為常見的聚合物微流控芯片形式,。近年來，由于生化分析的復(fù)雜性和多樣性需求,，微流控芯片技術(shù)的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化,，在一塊芯片基片上集成多種功能單元成為一種常見形式，普遍應(yīng)用于醫(yī)學(xué)診斷,、醫(yī)學(xué)分析,、藥物篩選、環(huán)境監(jiān)測和燃料電池技術(shù)等諸多領(lǐng)域,?；诟咄靠焖俜蛛x的需要，多通道陣列并行操作是微流控芯片的發(fā)展的趨勢,，芯片微通道數(shù)量已從較初的12通道,、96通道，發(fā)展到現(xiàn)在的384通道,。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括的方面：智能的,、可升級的和適應(yīng)性強(qiáng)的微納制造系統(tǒng),。

高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù),，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進(jìn)行曝光,，具有比較高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術(shù)*適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作,。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大,，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡、多臺階微光學(xué)元件等,。據(jù)悉，某公司新上市的手機(jī)產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件,，以及當(dāng)下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達(dá)光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件,。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進(jìn)行制作。直寫技術(shù),，通過在光束移動過程中進(jìn)行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實(shí)現(xiàn)良好的灰度光刻能力。我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置,。上海半導(dǎo)體微納加工代工

微納加工設(shè)備主要有：光刻,、刻蝕,、成膜、離子注入,、晶圓鍵合等,。深圳MEMS微納加工代工

微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計,、加工,、組裝、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù),。微納加工按技術(shù)分類,，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝,。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝,、圖形化工藝（光刻）,、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術(shù)中較關(guān)鍵的工藝步驟,，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平,。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠,，再用光線（一般是紫外光,、深紫外光,、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面,，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng),。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠,，就實(shí)現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。深圳MEMS微納加工代工