磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣子等。它具有設(shè)備簡單,、易于控制,、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).磁控濺射發(fā)展至今,，除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,，還實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用：1.各種功能薄膜：如具有吸收、透射,、反射,、折射、偏振等功能.例如,，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率.2.微電子：可作為非熱鍍膜技術(shù),，主要用于化學(xué)氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用：如各種全反射膜和半透明膜；比如手機(jī)殼,、鼠標(biāo)等.磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來,。深圳金屬磁控濺射鍍膜

磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項(xiàng)重要指標(biāo)，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素,，以更好的實(shí)現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜,。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中，閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺線運(yùn)動,，在運(yùn)動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子,，氬離子在電場作用下加速轟擊靶材,，濺射出呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。所以要實(shí)現(xiàn)均勻的鍍膜,，就需要均勻的濺射出靶原子（或分子）,，這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于氬離子在電場作用下加速轟擊靶材,，所以均勻轟擊很大程度上依賴電場的均勻,。海南反應(yīng)磁控濺射用處磁控濺射法實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。

脈沖磁控濺射工作原理：在一個周期內(nèi)存在正電壓和負(fù)電壓兩個階段，在負(fù)電壓段,，電源工作于靶材的濺射,，正電壓段，引入電子中和靶面累積的正電荷,，并使表面清潔,，裸露出金屬表面。加在靶材上的脈沖電壓與一般磁控濺射相同!為400~500V,電源頻率在10~350KHz,，在保證穩(wěn)定放電的前提下，應(yīng)盡可能取較低的頻率#由于等離子體中的電子相對離子具有更高的能動性,，因此正電壓值只需要是負(fù)電壓的10%~20%,，就可以有效中和靶表面累積的正電荷。占空比的選擇在保證濺射時靶表面累積的電荷能在正電壓階段被完全中和的前提下,，盡可能提高占空,，以實(shí)現(xiàn)電源的較大效率。

磁控濺射技術(shù)得以普遍的應(yīng)用,是由該技術(shù)有別于其它鍍膜方法的特點(diǎn)所決定的,。其特點(diǎn)可歸納為:可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料,包括各種金屬,、半導(dǎo)體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物,、陶瓷等物質(zhì),尤其適合高熔點(diǎn)和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積所需組分的混合物,、化合物薄膜;在濺射的放電氣中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;控制真空室中的氣壓,、濺射功率,基本上可獲得穩(wěn)定的沉積速率,通過精確地控制濺射鍍膜時間,容易獲得均勻的高精度的膜厚,且重復(fù)性好;濺射粒子幾乎不受重力影響,靶材與基片位置可自由安排;基片與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上,且由于濺射粒子帶有高能量,在成膜面會繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜,同時高能量使基片只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生產(chǎn)厚度10nm以下的極薄連續(xù)膜,。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說,，磁控濺射加熱少,。

高速率磁控濺射本質(zhì)特點(diǎn)是產(chǎn)生大量的濺射粒子，導(dǎo)致較高的沉積速率,。實(shí)驗(yàn)表明在較大的靶源密度在高速濺射,，靶的濺射和局部蒸發(fā)同時發(fā)生,，兩種過程的結(jié)合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導(dǎo)致薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。與通常的磁控濺射比較,，高速濺射和自濺射的特點(diǎn)在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,，（Pd為磁控靶功率，S為靶表面積）,。高速濺射有一定的限制,，因此在特殊的環(huán)境才能保持高速濺射，如足夠高的靶源密度,，靶材足夠的產(chǎn)額和濺射氣體壓力,，并且要獲得較大氣體的離化率。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻,。磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,。北京反應(yīng)磁控濺射特點(diǎn)

磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場方向垂直的磁場，一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn),。深圳金屬磁控濺射鍍膜

磁控濺射設(shè)備的主要用途：（1）各種功能性薄膜：如具有吸收,、透射,、反射、折射、偏光等作用的薄膜,。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜,，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,。（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等,，如手機(jī)外殼,，鼠標(biāo)等。（3）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機(jī),。（4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜,。（5）在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）,、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃普遍應(yīng)用于平板顯示器件,、太陽能電池,、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等,。（6）在機(jī)械加工行業(yè)中,，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展,，能有效的提高表面硬度,、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命,。深圳金屬磁控濺射鍍膜