蝕刻是芯片生產(chǎn)過程中重要操作,，也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù),。蝕刻技術(shù)把對光的應(yīng)用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭,。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上,，使之曝光,。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜,，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅,。然后，曝光的硅將被原子轟擊,，使得暴露的硅基片局部摻雜,，從而改變這些區(qū)域的導(dǎo)電狀態(tài)，以制造出N井或P井,，結(jié)合上面制造的基片,，芯片的門電路就完成了?？涛g技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝,，而且還應(yīng)用于薄膜電路和其他微細(xì)圖形的加工。湖北MEMS半導(dǎo)體器件加工公司

刻蝕,，英文為Etch,，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟,，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝,。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕,，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展,，廣義上來講,，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離,、去除材料的一種統(tǒng)稱,，成為微加工制造的一種普適叫法,。四川壓電半導(dǎo)體器件加工批發(fā)價微機電系統(tǒng)是微電路和微機械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米級,。

光刻工藝的基本流程是首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干,。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,，實現(xiàn)曝光,，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤,，即所謂的曝光后烘烤,，后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。較后,，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,，對曝光圖形顯影。顯影后,，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上,。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的,，曝光是在光刻機中完成的,。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯(lián)機作業(yè)的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送,。整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的,，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響,。

MEMS器件體積小,，重量輕，耗能低,，慣性小，諧振頻率高,，響應(yīng)時間短,。MEMS系統(tǒng)與一般的機械系統(tǒng)相比，不只體積縮小,，而且在力學(xué)原理和運動學(xué)原理,，材料特性、加工,、測量和控制等方面都將發(fā)生變化,。在MEMS系統(tǒng)中，所有的幾何變形是如此之小(分子級),，以至于結(jié)構(gòu)內(nèi)應(yīng)力與應(yīng)變之間的線性關(guān)系(虎克定律)已不存在,。MEMS器件中摩擦表面的摩擦力主要是由于表面之間的分子相互作用力引起的,，而不是由于載荷壓力引起。MEMS器件以硅為主要材料,。硅的強度,、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)。密度類似于鋁,，熱傳導(dǎo)率接近銅和鎢,，因此MEMS器件機械電氣性能優(yōu)良。常見的半導(dǎo)體材料有硅,、鍺,、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中較具有影響力的一種,。

MEMS采用類似集成電路(IC)的生產(chǎn)工藝和加工過程,，用硅微加工工藝在一硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。使MEMS有極高的自動化程度,，批量生產(chǎn)可大幅度降低生產(chǎn)成本;而且地球表層硅的含量為2%,。幾乎取之不盡，因此MEMS產(chǎn)品在經(jīng)濟性方面更具競爭力,。MEMS可以把不同功能,、不同敏感方向或制動方向的多個傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列和微執(zhí)行器陣列,。甚至把多種功能的器件集成在一起,，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器,、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出高可靠性和穩(wěn)定性的微型機電系統(tǒng),。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,。湖北MEMS半導(dǎo)體器件加工公司

MEMS器件體積小,，重量輕，耗能低,，慣性小,，諧振頻率高，響應(yīng)時間短,。湖北MEMS半導(dǎo)體器件加工公司

熱處理是簡單地將晶圓加熱和冷卻來達(dá)到特定結(jié)果的工藝,。在熱處理的過程中，晶圓上沒有增加或減去任何物質(zhì),，另外會有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā),。在離子注入工藝后會有一步重要的熱處理。摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會被熱處理修復(fù)，這稱為退火,，溫度一般在1000℃左右,。另外，金屬導(dǎo)線在晶圓上制成后會有一步熱處理,。這些導(dǎo)線在電路的各個器件之間承載電流,。為了確保良好的導(dǎo)電性，金屬會在450℃熱處理后與晶圓表面緊密熔合,。熱處理的第三種用途是通過加熱在晶圓表面的光刻膠將溶劑蒸發(fā)掉,，從而得到精確的圖形。湖北MEMS半導(dǎo)體器件加工公司