外觀和描述：氧化鉿是鉿的主要氧化物,，通常狀況下為白色無臭無味晶體,。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學(xué)式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點(diǎn):約2850℃沸點(diǎn):約沸點(diǎn)5400℃2,、性質(zhì)：氧化鉿是一種、無味的白色固體,，不溶于水,、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸,；化學(xué)性質(zhì)不活潑,，具有薄膜特性：透光范圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2,，且高熔點(diǎn),，所以用途***。3,、用途：1）金屬鉿及其化合物的原料,；2）耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化劑,；3）度玻璃涂層,。氧化鉿的生態(tài)學(xué)資料？氧化鉿密度

性質(zhì)白色粉末,，有單斜,、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3,。熔點(diǎn)2780～2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水,、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。西隴氧化鉿供應(yīng)氧化鉿的產(chǎn)品特性與用途？

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美,、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值,。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時,，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。

中文名稱:氧化鉿分子式:HfO?英文名稱:Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美,、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。氧化鉿的危險(xiǎn)性概述,？

在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,，但是對此研究較少。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,，比重9.68,。熔點(diǎn)2，758±25℃,。沸點(diǎn)約5,，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,，475～1,，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無Chemicalbook機(jī)酸，但在氫氟酸中緩慢溶解,?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC,。氧化鉿的熔點(diǎn)是多少,？河北氧化鉿市面價

氧化鉿的安全操作的注意事項(xiàng)？氧化鉿密度

中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時,，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點(diǎn)3031K,，沸點(diǎn)5673K。氧化鉿密度