基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%,、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa,。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,，基片溫度~250℃，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,，干涉膜氧化鉿的主要作用有哪些,？四川氧化鉿直銷價格

物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體,。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時,，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點3031K,，沸點5673K。山東氧化鉿銷售公司氧化鉿薄膜的特性與應(yīng)用,？

氧化鉿又稱氧化鉿(IV),，它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2,，分子量為210.4888,。存儲方法常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥,。合成方法當(dāng)加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。主要用途用于光譜分析及催化劑體系,，耐熔材料,。系統(tǒng)編號CAS號：12055-23-1MDL號：MFCD00003565EINECS號：235-013-2PubChem號：24873674，毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響：在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象

常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點N/A分子式HfO2熔點2812oCMSDS閃點N/A,。

氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系,，耐熔材料。儲存條件常溫密閉,，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學(xué)1,、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23,、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04,、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36,、表面電荷：07,、復(fù)雜度：18.38,、同位素原子數(shù)量：09,、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011,、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012,、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013,、共價鍵單元數(shù)量：1 氧化鉿的危險性符號？

二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄,，但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿是怎么制備而來的？正規(guī)氧化鉿市面價

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產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。四川氧化鉿直銷價格