可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形,?？煽毓柙慕Y構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構,。見圖1,。它有三個PN結（J1、J2,、J3）,，從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,，共有三個PN結,，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極。額定通態(tài)電流（IT）即穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。吳江區(qū)質量可控硅模塊銷售廠家

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤浻|發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,，可控硅方可關斷。當然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。姑蘇區(qū)智能可控硅模塊現價體積小,、重量輕、結構緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好,、便于維修和安裝；

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。首先,，可以把從陰極向上數的***、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產生基極電流Ib1，經放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。

這在高溫下尤為嚴重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5,、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值,，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通,。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導通,。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流,，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。反應極快,，在微秒級內開通,、關斷；無觸點運行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。

晶閘管特性單向晶閘管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,，通過開關S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極,，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型，應接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關S,，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通,；再按一下按鈕開關SB,，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說明晶閘管導通了,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。張家港質量可控硅模塊私人定做

可控硅的優(yōu)點很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍,；吳江區(qū)質量可控硅模塊銷售廠家

1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內部的正反饋,，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲,。2,、關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時,，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關系，電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。吳江區(qū)質量可控硅模塊銷售廠家

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